6inch 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N tipe kanggo MOS utawa SBD Produksi Riset lan Dummy kelas

6inch 150mm Silicon Carbide SiC Wafers tipe 4H-N kanggo Riset Produksi MOS utawa SBD lan Dummy grade Featured Image

Katrangan singkat:

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci minangka bahan kinerja dhuwur kanthi sifat fisik lan kimia sing apik banget.Diprodhuksi saka bahan kristal tunggal silikon karbida kemurnian dhuwur, nuduhake konduktivitas termal sing unggul, stabilitas mekanik, lan tahan suhu dhuwur.Substrat iki, digawe kanthi proses manufaktur presisi lan bahan berkualitas tinggi, wis dadi bahan sing disenengi kanggo nggawe piranti elektronik kanthi efisiensi dhuwur ing macem-macem lapangan.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Bidang Aplikasi

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci nduweni peran penting ing pirang-pirang industri.Kaping pisanan, digunakake ing industri semikonduktor kanggo nggawe piranti elektronik kanthi daya dhuwur kayata transistor daya, sirkuit terpadu, lan modul daya.Konduktivitas termal sing dhuwur lan resistensi suhu sing dhuwur ndadekake panyebaran panas sing luwih apik, sing nyebabake efisiensi lan linuwih.Kapindho, wafer silikon karbida penting ing lapangan riset kanggo pangembangan bahan lan piranti anyar.Kajaba iku, wafer silikon karbida nemokake aplikasi ekstensif ing bidang optoelektronik, kalebu manufaktur LED lan dioda laser.

Spesifikasi Produk

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci kanthi diameter 6 inci (kira-kira 152,4 mm).Kekasaran permukaan yaiku Ra <0,5 nm, lan kekandelan 600 ± 25 μm.Substrat bisa disesuaikan karo konduktivitas N-jinis utawa P-jinis, adhedhasar syarat pelanggan.Kajaba iku, nduweni stabilitas mekanik sing luar biasa, bisa nahan tekanan lan geter.

Dhiameter		150±2.0mm(6 inci)
kekandelan		350 μm ± 25 μm
Orientasi		Ing sumbu: <0001> ± 0,5 °		Sumbu mati: 4,0 ° menyang 1120 ± 0,5 °
Politipe		4H
Resistivitas (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	> 1E5
Orientasi flat utama		{10-10}±5.0°
dawa rata utama (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Pinggir		Chamfer
TTV/Bow/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
Ngarep AFM (Si-wajah)		Polandia Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm (10mm * 10mm)	≤5μm (10mm * 10mm)		≤10μm (10mm * 10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Kulit jeruk / pit / retak / kontaminasi / noda / striations		ora ana	ora ana		ora ana
indentasi		ora ana	ora ana		ora ana

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci minangka bahan kinerja dhuwur sing digunakake ing industri semikonduktor, riset, lan optoelektronik.Nawakake konduktivitas termal sing apik, stabilitas mekanik, lan resistensi suhu dhuwur, saengga cocog kanggo nggawe piranti elektronik daya dhuwur lan riset materi anyar.Kita nyedhiyakake macem-macem spesifikasi lan opsi kustomisasi kanggo nyukupi panjaluk pelanggan sing beda-beda.Hubungi kita kanggo rincian liyane babagan wafer silikon karbida!