8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy kelas riset
Amarga sifat fisik lan elektronik sing unik, bahan semikonduktor wafer 200mm SiC digunakake kanggo nggawe piranti elektronik kanthi kinerja dhuwur, suhu dhuwur, tahan radiasi, lan frekuensi dhuwur. Rega substrat SiC 8inch saya suda amarga teknologi saya maju lan panjaluk saya mundhak. Perkembangan teknologi paling anyar nyebabake produksi skala produksi wafer SiC 200mm. Kaluwihan utama bahan semikonduktor wafer SiC dibandhingake karo wafer Si lan GaAs: Kekuwatan medan listrik 4H-SiC sajrone risak longsor luwih saka urutan gedhene sing luwih dhuwur tinimbang nilai sing cocog kanggo Si lan GaAs. Iki ndadékaké kanggo nyuda pinunjul ing resistivitas ing negara Ron. Low on-state resistivity, digabungake karo Kapadhetan saiki dhuwur lan konduktivitas termal, ngidini nggunakake mati cilik banget kanggo piranti daya. Konduktivitas termal dhuwur saka SiC nyuda resistensi termal chip. Sifat elektronik piranti adhedhasar wafer SiC stabil banget saka wektu lan suhu stabil, sing njamin linuwih produk. Silicon carbide arang banget tahan kanggo radiation hard, kang ora degrade sifat elektronik saka chip. Suhu operasi watesan dhuwur saka kristal (luwih saka 6000C) ngidini sampeyan nggawe piranti sing dipercaya banget kanggo kahanan operasi sing atos lan aplikasi khusus. Saiki, kita bisa nyedhiyakake wafer 200mmSiC batch cilik kanthi terus lan terus-terusan lan duwe sawetara saham ing gudang.
Spesifikasi
| Nomer | Item | Unit | Produksi | Riset | goblok |
| 1. Paramèter | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi lumahing | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parameter listrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen tipe n | Nitrogen tipe n | Nitrogen tipe n |
| 2.2 | resistivitas | om · cm | 0,015~0,025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. Parameter mekanik | |||||
| 3.1 | diameteripun | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | kekandelan | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi notch | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Notch | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | gandhewo | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | Kapadhetan micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualitas positif | |||||
| 5.1 | ngarep | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Rampung lumahing | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | partikel | ea / wafer | ≤100 (ukuran ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | ngeruk | ea / wafer | ≤5, Total Length≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | pinggiran chip / indents / retak / reregetan / kontaminasi | -- | ora ana | ora ana | NA |
| 5.6 | Wilayah politipe | -- | ora ana | Area ≤10% | Area ≤30% |
| 5.7 | tandha ngarep | -- | ora ana | ora ana | ora ana |
| 6. Kualitas mburi | |||||
| 6.1 | mburi rampung | -- | C-pasuryan MP | C-pasuryan MP | C-pasuryan MP |
| 6.2 | ngeruk | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Cacat mburi pinggiran kripik / indents | -- | ora ana | ora ana | NA |
| 6.4 | Kekasaran mburi | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Tandha mburi | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Pinggir | |||||
| 7.1 | pinggiran | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | pambungkus | -- | Epi-siap karo vakum pambungkus | Epi-siap karo vakum pambungkus | Epi-siap karo vakum pambungkus |
| 8.2 | pambungkus | -- | Multi-wafer packing kaset | Multi-wafer packing kaset | Multi-wafer packing kaset |
Diagram rinci
