8 inch 200mm Silicon Carbide SiC Wafer 4H-N tipe Produksi kelas ketebalan 500um

Katrangan singkat:

Shanghai Xinkehui Tech.Co., Ltd nawakake pilihan lan rega sing paling apik kanggo wafer lan substrat silikon karbida lan substrat nganti diameter 8 inci kanthi jinis N- lan semi-insulating.Perusahaan piranti semikonduktor cilik lan gedhe lan laboratorium riset ing saindenging jagad nggunakake lan ngandelake wafer karbida silikon.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Spesifikasi Substrat SiC 200mm 8inch

Ukuran: 8 inch;

Dhiameter: 200mm±0.2;

Kekandelan: 500um±25;

Orientasi lumahing: 4 menyang [11-20] ± 0,5 °;

Orientasi kedudukan: [1-100]±1°；

ambane kedudukan: 1±0.25mm;

Mikropipe: <1cm2;

Piring Hex: Ora ana sing diidini;

Resistivity: 0,015 ~ 0,028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED:<6000cm2

BPD: <2000cm2

TSD: <1000cm2

SF: area <1%

TTV≤15um；

Warp≤40um；

Bow≤25um；

Wilayah poli: ≤5%;

Goresan: <5 lan Dawane Kumulatif< 1 Diameter Wafer;

Kripik / Indents: Ora ana ijin D> 0.5mm Jembar lan ambane;

Retak: Ora ana;

Noda: Ora ana

pinggiran wafer: Chamfer;

Rampung lumahing: Polish pindho Sisi, Si Face CMP;

Packing: Multi-wafer Kaset Utawa Single Wafer Wadah;

Kangelan saiki ing preparation saka 200mm 4H-SiC kristal mainl

1) Persiapan kristal biji 200mm 4H-SiC sing berkualitas tinggi;

2) Lapangan suhu ukuran gedhe non-keseragaman lan kontrol proses nukleasi;

3) Efisiensi transportasi lan evolusi komponen gas ing sistem pertumbuhan kristal largeize;

4) Kristal retak lan proliferasi cacat sing disebabake dening kenaikan tekanan termal ukuran gedhe.

Kanggo ngatasi tantangan kasebut lan entuk solusi wafer SiC 200mm kualitas dhuwur diusulake:

Ing syarat-syarat preparation kristal wiji 200mm, lapangan fieldflow suhu cocok, lan Déwan ngembangaken padha sinau lan dirancang kanggo njupuk intoaccount kualitas kristal lan ukuran ngembangaken;Miwiti karo kristal SiC se:d 150mm, nindakake pengulangan kristal wiji kanggo nggedhekake kristal SiC kanthi bertahap nganti tekan 200mm;Liwat sawetara wutah kristal lan proses, mboko sithik ngoptimalake kualitas kristal ing wilayah ngembangaken kristal, lan nambah kualitas 200mm kristal wiji.

Ing babagan kristal konduktif 200mm lan persiapan substrat, riset wis ngoptimalake desain lapangan suhu lan lapangan aliran kanggo pertumbuhan kristal ukuran gedhe, nindakake wutah kristal SiC konduktif 200mm, lan ngontrol keseragaman doping.Sawise proses kasar lan mbentuk kristal, ingot 4H-SiC konduktif 8-inci kanthi diameter standar dipikolehi.Sawise nglereni, grinding, polishing, proses kanggo entuk wafer SiC 200mm kanthi kekandelan 525um utawa luwih.