4 inch Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
Aplikasi
● Substrat wutah kanggo senyawa III-V lan II-VI.
● Elektronika lan optoelektronik.
● aplikasi IR.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS).
● Radio Frequency Integrated Circuit (RFIC).
Ing produksi LED, wafer sapir digunakake minangka landasan kanggo pertumbuhan kristal gallium nitride (GaN), sing ngetokake cahya nalika arus listrik ditrapake.Sapphire minangka bahan substrat sing cocog kanggo pertumbuhan GaN amarga nduweni struktur kristal lan koefisien ekspansi termal sing padha karo GaN, sing nyuda cacat lan nambah kualitas kristal.
Ing optik, wafer sapir digunakake minangka jendhela lan lensa ing lingkungan tekanan dhuwur lan suhu dhuwur, uga ing sistem pencitraan inframerah, amarga transparan lan kekerasan sing dhuwur.
Spesifikasi
| Item | 4-inci C-bidang (0001) 650μm Wafer Sapphire | |
| Bahan Kristal | 99,999%, Kemurnian Dhuwur, Monocrystalline Al2O3 | |
| sasmita | Perdana, Epi-Siap | |
| Orientasi lumahing | C-pesawat (0001) | |
| C-bidang off-angle menyang M-sumbu 0,2 +/- 0,1 ° | ||
| Dhiameter | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| kekandelan | 650 μm +/- 25 μm | |
| Orientasi Flat Primer | A-bidang(11-20) +/- 0,2° | |
| Panjang Datar Utama | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Sisi Tunggal Dipoles | Lumahing Ngarep | Epi-polesan, Ra < 0,2 nm (dening AFM) |
| (SSP) | Mburi lumahing | Lemah alus, Ra = 0,8 μm nganti 1,2 μm |
| Sisi pindho polesan | Lumahing Ngarep | Epi-polesan, Ra < 0,2 nm (dening AFM) |
| (DSP) | Mburi lumahing | Epi-polesan, Ra < 0,2 nm (dening AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOW | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Cleaning / Packaging | Kelas 100 ngresiki kamar lan kemasan vakum, | |
| 25 lembar ing siji kemasan kaset utawa kemasan siji. | ||
Packing & Pengiriman
Umumé ngandika, kita nyedhiyani paket dening 25pcs kothak kaset;kita uga bisa dikemas dening wafer wafer siji ing 100 kamar reresik kelas miturut requirement klien.
Diagram rinci
