50.8mm 2inch GaN ing sapir Epi-lapisan wafer
Aplikasi gallium nitride GaN epitaxial sheet
Adhedhasar kinerja gallium nitride, gallium nitride epitaxial chips utamané cocok kanggo daya dhuwur, frekuensi dhuwur, lan aplikasi voltase kurang.
Iku dibayangke ing:
1) Bandgap dhuwur: Bandgap dhuwur nambah tingkat voltase piranti gallium nitride lan bisa ngasilake daya sing luwih dhuwur tinimbang piranti gallium arsenide, sing utamané cocok kanggo stasiun pangkalan komunikasi 5G, radar militer lan lapangan liyane;
2) efisiensi konversi dhuwur: ing-resistance saka gallium nitride ngoper daya piranti elektronik punika 3 pesenan saka gedhene luwih murah tinimbang piranti Silicon, kang Ngartekno bisa nyuda mundhut on-ngalih;
3) konduktivitas termal dhuwur: konduktivitas termal dhuwur saka gallium nitride ndadekake kinerja boros panas banget, cocok kanggo produksi dhuwur-daya, suhu dhuwur lan kothak piranti liyane;
4) Breakdown kekuatan medan listrik: Senajan risak kekuatan medan listrik saka gallium nitride cedhak karo silikon nitride, amarga proses semikonduktor, bahan kisi mismatch lan faktor liyane, toleransi voltase piranti gallium nitride biasane bab 1000V, lan voltase nggunakake aman biasane ngisor 650V.
| Item | Gan-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| ukuran | e 50.8mm ± 0.1mm | ||
| kekandelan | 4,5 ± 0,5 um | 4,5 ± 0,5um | |
| Orientasi | C-bidang (0001) ± 0,5 ° | ||
| Tipe Konduksi | Tipe N (Undoped) | Tipe N (Si-doped) | Tipe P (Mg-doped) |
| Resistivitas (3O0K) | <0,5 Q・cm | <0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Konsentrasi Carrier | <5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 | > 6x1016 cm-3 |
| mobilitas | ~ 300 cm2/ Vs | ~ 200 cm2/ Vs | ~ 10 cm2/ Vs |
| Kapadhetan Dislokasi | Kurang saka 5x108cm-2(diwilang dening FWHM saka XRD) | ||
| Struktur substrat | GaN on Sapphire (Standar: Opsi SSP: DSP) | ||
| Area lumahing sing bisa digunakake | > 90% | ||
| Paket | Rangkep ing lingkungan kamar resik kelas 100, ing kaset 25pcs utawa wafer wafer tunggal, ing atmosfer nitrogen. | ||
* Ketebalan liyane bisa disesuaikan
Diagram rinci
