8inch Silicon wafer P/N-type (100) 1-100Ω dummy reclaim substrate

Katrangan singkat:

Persediaan gedhe saka wafer polesan polesan kaping pindho, kabeh wafer saka diameter 50 nganti 400mm Yen spesifikasi sampeyan ora kasedhiya ing persediaan, kita wis nggawe hubungan jangka panjang karo akeh supplier sing bisa nggawe wafer khusus supaya cocog karo spesifikasi sing unik.Wafer polesan kaping pindho bisa digunakake kanggo silikon, kaca lan bahan liyane sing umum digunakake ing industri semikonduktor.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Introduksi saka wafer kothak

Wafer silikon 8-inci minangka bahan substrat silikon sing umum digunakake lan akeh digunakake ing proses manufaktur sirkuit terpadu.Wafer silikon kuwi umume digunakake kanggo nggawe macem-macem jinis sirkuit terpadu, kalebu mikroprosesor, chip memori, sensor lan piranti elektronik liyane.Wafer silikon 8-inch umume digunakake kanggo nggawe Kripik kanthi ukuran sing relatif gedhe, kanthi kaluwihan kalebu area lumahing sing luwih gedhe lan kemampuan kanggo nggawe luwih akeh chip ing wafer silikon siji, sing ndadekake efisiensi produksi tambah.Wafer silikon 8-inch uga nduweni sifat mekanik lan kimia sing apik, sing cocok kanggo produksi sirkuit terpadu skala gedhe.

Fitur produk

8" tipe P/N, wafer silikon dipoles (25 pcs)

Orientasi: 200

Resistivity: 0.1 - 40 ohm•cm (Bisa beda-beda saka batch kanggo batch)

Kekandelan: 725+/-20um

Prime / Monitor / Test Grade

SIFAT MATERIAL

Parameter	Ciri khas
Tipe / Dopan	P, Boron N, Fosfor N, Antimon N, Arsenik
Orientasi	<100>, <111> irisan orientasi saben spesifikasi pelanggan
Kandungan Oksigen	10¹⁹ppmA Custom toleransi saben specification customer kang
Kandungan Karbon	<0,6 ppmA

SIFAT MEKANIKAL

Parameter	Perdana	Monitor/Tes A	Tes
Dhiameter	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,5 mm
kekandelan	725±20µm (standar)	725±25µm(standar) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (standar)
TTV	<5 µm	< 10 µm	< 15 µm
gandhewo	<30 µm	<30 µm	<50 µm
Bungkus	<30 µm	<30 µm	<50 µm
Bunder Ujung	SEMI-STD
menehi tandha	Utama SEMI-Flat mung, SEMI-STD Flats Jeida Flat, kedudukan

Parameter	Perdana	Monitor/Tes A	Tes
Kriteria Sisih Ngarep
Kondisi lumahing	Dipoles Mekanik Kimia	Dipoles Mekanik Kimia	Dipoles Mekanik Kimia
Kekasaran lumahing	<2 A°	<2 A°	<2 A°
Kontaminasi Partikel @ > 0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Kabut, Pit Kulit jeruk	ora ana	ora ana	ora ana
Saw, Mark Striations	ora ana	ora ana	ora ana
Kriteria Sisih mburi
Retak, crowsfeet, tandha gergaji, noda	ora ana	ora ana	ora ana
Kondisi lumahing	Caustic etched