Substrat
-
Pin Angkat Sapphire Kinerja Tinggi, Kristal Tunggal Al2O3 Murni kanggo Sistem Transfer Wafer - Ukuran Kustom, Daya Tahan Dhuwur kanggo Aplikasi Presisi
-
Rod lan Pin Sapphire Industri, Pin Sapphire Al2O3 Kekerasan Tinggi kanggo Penanganan Wafer, Sistem Radar lan Pemrosesan Semikonduktor - Diameter 1.6mm nganti 2mm
-
Pin Angkat Sapphire Disesuaikan, Bagian Optik Kristal Tunggal Al2O3 Kekerasan Tinggi kanggo Transfer Wafer - Diameter 1.6mm, 1.8mm, Bisa Disesuaikan kanggo Aplikasi Industri
-
lensa bola safir kelas optik bahan Al2O3 Rentang transmisi 0.15-5.5um Diameter 1mm 1.5mm
-
bola safir Dia 1.0 1.1 1.5 untuk bola optik lensa kekerasan tinggi kristal tunggal
-
sapphire dia colored sapphire dia kanggo watch，diameter disesuaikan 40 38mm ketebalan 350um 550um，tinggi transparan
-
Wafer InSb 2 inch 3 inch undoped Ntype P orientation 111 100 kanggo Detektor Inframerah
-
Indium Antimonide (InSb) wafer tipe N tipe P Epi siap undoped Te doped utawa Ge doped 2inch 3inch 4inch ketebalan wafer Indium Antimonide (InSb)
-
Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
ingot sapir 3inch 4inch 6inch Monocrystal CZ KY metode Customizable
-
2inch 3inch 4inch InP epitaxial wafer substrate APD detektor cahya kanggo komunikasi serat optik utawa LiDAR
-
cincin safir digawe saka bahan safir sintetis Transparan lan bisa disesuaikan kekerasan Mohs saka 9