SiO2 Thin Film Thermal Oxide Silicon wafer 4inch 6inch 8inch 12inch

Proses utama manufaktur wafer silikon teroksidasi biasane kalebu langkah-langkah ing ngisor iki: wutah silikon monocrystalline, nglereni dadi wafer, polishing, reresik lan oksidasi.

Wutah silikon monocrystalline: Kaping pisanan, silikon monocrystalline ditanam ing suhu dhuwur kanthi cara kayata metode Czochralski utawa metode Float-zone. Cara iki ngidini nyiyapake kristal tunggal silikon kanthi kemurnian dhuwur lan integritas kisi.

Dicing: Silicon monocrystalline thukul biasane ing wangun silinder lan kudu Cut menyang wafer tipis kanggo digunakake minangka substrat wafer. Motong biasane ditindakake kanthi pemotong berlian.

Polishing: Lumahing wafer potong bisa uga ora rata lan mbutuhake polishing kimia-mekanik kanggo entuk permukaan sing mulus.

Reresik: Wafer polesan wis di resiki kanggo mbusak impurities lan bledug.

Oksidasi: Pungkasan, wafer silikon dilebokake ing tungku suhu dhuwur kanggo perawatan oksidasi kanggo mbentuk lapisan pelindung silikon dioksida kanggo nambah sifat listrik lan kekuatan mekanik, uga minangka lapisan insulasi ing sirkuit terpadu.

Panggunaan utama wafer silikon teroksidasi kalebu nggawe sirkuit terintegrasi, nggawe sel surya, lan nggawe piranti elektronik liyane. Wafer silikon oksida akeh digunakake ing bidang bahan semikonduktor amarga sifat mekanik sing apik, stabilitas dimensi lan kimia, kemampuan kanggo operate ing suhu dhuwur lan tekanan dhuwur, uga sifat insulasi lan optik sing apik.

Kaluwihan kasebut kalebu struktur kristal lengkap, komposisi kimia murni, dimensi sing tepat, sifat mekanik sing apik, lan liya-liyane.