Jalur Otomatisasi Poles Terhubung Patang Tahap Wafer Silikon / Silikon Karbida (SiC) (Jalur Penanganan Pasca-Poles Terpadu)

Katrangan Cekak:

Jalur Otomatisasi Poles Terhubung Patang Tahap iki minangka solusi in-line terintegrasi sing dirancang kanggopasca-polesan / pasca-CMPoperasi sakasilikonlansilikon karbida (SiC)wafer. Dibangun ing sakubengewadhah keramik (piring keramik), sistem iki nggabungake pirang-pirang tugas hilir dadi siji jalur sing terkoordinasi—mbantu pabrik ngurangi penanganan manual, nyetabilake wektu pengambilan, lan nguatake kontrol kontaminasi.

Kirim email menyang kita

Fitur-fitur

Diagram Rinci

Jalur Otomatisasi Poles Terhubung Patang Tahap Wafer Silikon / Silikon Karbida (SiC) (Jalur Penanganan Pasca-Poles Terpadu)4

Ringkesan

Ing manufaktur semikonduktor,pembersihan pasca-CMP sing efektifdiakoni sacara wiyar minangka langkah kunci kanggo nyuda cacat sadurunge proses sabanjure, lan pendekatan canggih (kalebupembersihan megasonik) umume dirembug kanggo ningkatake kinerja mbusak partikel.

Khususé kanggo SiC,kekerasan dhuwur lan inertitas kimianggawé polesan dadi angel (asring digandhengake karo tingkat penghapusan bahan sing kurang lan risiko kerusakan permukaan/bawah permukaan sing luwih dhuwur), sing ndadèkaké otomatisasi pasca-polesan sing stabil lan pembersihan/penanganan sing dikontrol dadi luwih migunani.

Jalur Otomatisasi Poles Terhubung Patang Tahap Wafer Silikon / Silikon Karbida (SiC) (Jalur Penanganan Pasca-Poles Terpadu)5

Jalur Otomatisasi Poles Terhubung Patang Tahap Wafer Silikon / Silikon Karbida (SiC) (Jalur Penanganan Pasca-Poles Terpadu)2

Keuntungan Utama

Jalur terpadu tunggal sing ndhukung:

Pamisahan lan pangumpulan wafer(sawise dipoles)
Penyangga/panyimpenan pembawa keramik
Pembersihan pembawa keramik
Pemasangan wafer (penempelan) ing wadhah keramik
Operasi siji baris sing dikonsolidasi kanggoWafer 6–8 inci

Spesifikasi Teknis (Saka Lembar Data sing Disedhiyakake)

Dimensi Peralatan (P×L×T):13643 × 5030 × 2300 mm
Catu Daya:AC 380 V, 50 Hz
Daya Total:119 kW
Kebersihan Pemasangan:0,5 μm < 50 saben; 5 μm < 1 saben
Kerataan Pemasangan:≤ 2 μm

Referensi Throughput (Saka Lembar Data sing Disedhiyakake)

Dimensi Peralatan (P×L×T):13643 × 5030 × 2300 mm
Catu Daya:AC 380 V, 50 Hz
Daya Total:119 kW
Kebersihan Pemasangan:0,5 μm < 50 saben; 5 μm < 1 saben
Kerataan Pemasangan:≤ 2 μm

Aliran Jalur Khas

Infeed / antarmuka saka area polesan hulu
Pamisahan & pangumpulan wafer
Penyangga/panyimpenan pembawa keramik (pemisahan wektu takt)
Pembersihan pembawa keramik
Pemasangan wafer ing operator (kanthi kontrol kebersihan & kerataan)
Umpan balik menyang proses hilir utawa logistik

Pitakonan sing Sering Ditakoni

P1: Masalah apa sing utamane dirampungake dening baris iki?
A: Iki nggampangake operasi pasca-polesan kanthi nggabungake pamisahan/koleksi wafer, buffering pembawa keramik, pembersihan pembawa, lan pemasangan wafer dadi siji jalur otomatisasi sing terkoordinasi—ngurangi titik kontak manual lan nyetabilake ritme produksi.

P2: Bahan lan ukuran wafer endi sing didhukung?
A:Silikon lan SiC,6–8 inciwafer (miturut spesifikasi sing diwenehake).

P3: Apa sebabe pembersihan pasca-CMP diutamakake ing industri iki?
A: Literatur industri nyoroti manawa panjaluk kanggo pembersihan pasca-CMP sing efektif wis saya tambah kanggo nyuda kapadhetan cacat sadurunge langkah sabanjure; pendekatan adhedhasar megasonik umume ditliti kanggo ningkatake penghapusan partikel.

Babagan Kita

XKH spesialisasi ing pangembangan teknologi tinggi, produksi, lan dodolan kaca optik khusus lan bahan kristal anyar. Produk kita nyedhiyakake elektronik optik, elektronik konsumen, lan militer. Kita nawakake komponen optik Safir, tutup lensa ponsel, Keramik, LT, Silicon Carbide SIC, Kuarsa, lan wafer kristal semikonduktor. Kanthi keahlian sing trampil lan peralatan canggih, kita unggul ing pangolahan produk non-standar, kanthi tujuan dadi perusahaan teknologi tinggi bahan optoelektronik sing unggul.