Patternned Sapphirs Substrate PSS 2INCH 4Inch 4Inch Ibp Dry Etching bisa digunakake kanggo Kripik LED

Patterned Sapphirs Substrate PSS 2INCH 4Inch 4Inch Ibp Dry Etching bisa digunakake kanggo Kripik LED sing ditampilake gambar

Katrangan Singkat:

Substrat Sapphire Pola (PSS) minangka substrat ing struktur mikro lan nano dibentuk kanthi teknik lithografi lan etching. Digunakake utamane ing LED (Cahya ngeculake Diodi) kanggo ningkatake efisiensi ekstraksi sing entheng liwat desain pattering, saéngga ningkatake padhange lan kinerja sing dipimpin.

Kirim email menyang kita

Detail Produk

Tag Produk

Karakteristik Core

1. Ciri-ciri Bahan: Substrat Bahan yaiku salah siji saka kristal sapir (Al₂o₃), kanthi atose, resistensi panas lan stabilitas.

2 .. Struktur permukaan: Lumahing dibentuk dening photolitHografi lan etching menyang struktur mikro-nano kanthi périodik, kayata kerucut, piramida utawa pencahakan hexagonal.

3. Kinerja optik: liwat desain patter lumahing, total bayangan cahya ing antarmuka dikurangi, lan efisiensi ekskresi ekstraksi wis apik.

4. Kinerja termal: Substrat sapir duwe konduktivitas termal sing apik, cocog kanggo aplikasi LED sing dhuwur.

5. Ukuran Ukuran: Ukuran umum yaiku 2 inci (50,8mm), 4 inci (100mm) lan 6 inci (150mm).

Wilayah aplikasi utama

1 .. manufaktur dipimpin:
Efisiensi ekstraksi cahya sing apik: PSS nyuda kerugian entheng liwat desain patterning, kanthi signifikan bisa nambah padhang lan efisiensi luminous.

Kualitas epitoxial sing apik: struktur pola nyedhiyakake basis pertumbuhan sing luwih apik kanggo lapisan Gan Epitoxial lan nambah kinerja sing dipimpin.

2 .. laser diod (ld):
Laser listrik sing dhuwur: konduktivitas termal lan stabilitas PSS cocog kanggo diumati laser daya laser dhuwur, nambah kinerja dissipasi panas lan linuwih.

Threshold rendah: Ngoptimalake wutah epitoxial, nyuda arus ambang diode laser, lan nambah efisiensi.

3 .. fotodetector:
Sensitivitas dhuwur: transmisi cahya lan kapadhetan sing kurang saka PSS ningkatake sensitivitas lan kacepetan respon saka fotodetector.

Tanggepan spektrum sudhut: cocog kanggo deteksi fotoelektrik ing sinar ultraviolet kanggo katon sing katon.

4. Elektronik Daya:
Rintangan voltase dhuwur: Insulasi dhuwur sing dhuwur lan stabilitas termal cocog kanggo piranti listrik voltase dhuwur.

Pembuangan panas efisien: konduktivitas termal sing dhuwur bisa ningkatake kinerja pembuangan heram piranti lan urip layanan berlengkalan.

5 .. Piranti RF:
Kinerja frekuensi dhuwur: Mundhut rugi rendah lan stabil termal PSS cocog kanggo piranti RF frekuensi sing dhuwur.

Swara sithik: kandhang dhuwur lan kapadhetan kekurangan kurang nyuda swara piranti lan nambah kualitas sinyal.

6. Biosensors:
Deteksi sensitivitas dhuwur: transmisi cahya lan stabilitas kimia PSS cocog kanggo biosensor sensitor sensitor.

Biokamibilitas: Biogompatibilitas sapir nggawe aplikasi medis lan biodeteksi.
Substrate Sapphire Pola (PSS) karo Bahan Epitains Gan:

Substrate Sapphire Pola (PSS) minangka substrat sing cocog kanggo Gan (Gallium Nitride) pertumbuhan epitunial). Kata Kisi Constantice Sapphire cedhak karo Gan, sing bisa nyuda kecatangan kutmatika lan cacat ing wutah epitaksal. Struktur micro-nan lumahing PSS ora mung nambah efisiensi ekstraksi cahya, nanging uga nambah kualitas kristal lapisan Gan Epitoxial, saéngga ningkatake kinerja lan lahir.

Paramèter teknis

Item	Substrate Sapphire Pola (2 ~ 6Inch)
Diameteripun	50.8 ± 0,1 mm	100.0 ± 0.2 mm	150.0 ± 0,3 mm
Ketebalan	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
Orientasi permukaan	C-pesawat (0001) Angle off-m-axis (10-10) 0,2 ± 0.1 °
	C-pesawat (0001) Angle off-Axis (11-20) 0 ± 0.1 °
Orientasi rata utama	Pesawat a (11-20) ± 1.0 °
Dawane rata	16.0 ± 1.0 mm	30.0 ± 1.0 mm	47.5 ± 2.0 mm
Pesawat r-pesawat	9-O'Clock
Lumahing ngarep	Poletned
Rampung permukaan mburi	Ssp: lemah, ra = 0.8-1.2um; DSP: Epi-Polited, Ra <0.3NM
Tandha laser	Sisih mburi
Ttv	≤8μm	≤10μm	≤20μm
Gandhewo	≤10μm	≤15μm	≤25μm
Warp	≤12μm	≤20μm	≤30μm
Pengecapan Edge	≤2 mm
Pola spesifikasi	Struktur wujud	Kubah, kerucut, piramida
	Pola Dhuwur	1.6 ~ 1.8μm
	Pola diameter	2.75 ~ 2.85μm
	Pola Ruang	0,1 ~ 0.3μm

XkH spesialis kanggo nyedhiyakake substrat sapphirir sing bermutu tinggi (PSS) kanthi dhukungan teknis lan layanan penjualan kanggo mbantu pelanggan entuk inovasi sing efisien, Tampilan lan optoelectronics.

1. Passage PSS bermutu: Subterned Sapphire subternned ing macem-macem ukuran (2 ", 4", 6 ") kanggo nyukupi kebutuhan sing dipimpin, tampilan lan optooelectrik.

2 .. Desain khusus: Ngatur struktur mikro-nano Surce-Nano (kayata, piramida utawa hexagonal larik) miturut pelanggan kudu ngoptimalake efisiensi ekstraksi cahya.

3 .. Dhukungan Teknis: Wenehi desain aplikasi PCS, proses optimalisasi lan konsultasi teknis kanggo mbantu para pelanggan nambah kinerja produk.

4 .. Dhukungan pertumbuhan epitoxial: PSS cocog karo bahan Epitaksal Gan diwenehake kanggo njamin wutah lapisan epitaksial sing bermutu tinggi.

5. Tes lan Sertifikasi: nyedhiyakake laporan inspeksi kualitas PSS kanggo mesthekake yen produk bisa ketemu standar industri.