English

Wafer Safir C-Plane 12 inci SSP/DSP

Gambar Unggulan C-Plane Sapphire Wafer SSP/DSP 12inch
  • Wafer Safir C-Plane 12 inci SSP/DSP
  • Wafer Safir C-Plane 12 inci SSP/DSP

Katrangan Cekak:

Barang Spesifikasi
Diameter 2 inci 4 inci 6 inci 8 inci 12 inci
Bahan Safir buatan (Al2O3 ≥ 99,99%)
Kekandelan 430±15μm 650±15μm 1300±20μm 1300±20μm 3000±20μm
Permukaan
orientasi		 c-plane(0001)
Dawane 16±1mm 30±1mm 47,5±2,5mm 47,5±2,5mm *bisa ditawar
Orientasi bidang-a 0±0.3°
TTV * ≦10μm ≦10μm ≦15μm ≦15μm *bisa ditawar
GUNUNG * -10 ~ 0μm -15 ~ 0μm -20 ~ 0μm -25 ~ 0μm *bisa ditawar
Warp * ≦15μm ≦20μm ≦25μm ≦30μm *bisa ditawar
Sisih ngarep
ngrampungake		 Siap Epi (Ra <0.3nm)
Sisih mburi
ngrampungake		 Lapping (Ra 0,6 – 1,2μm)
Kemasan Kemasan vakum ing kamar sing resik
Kelas utama Reresik kualitas dhuwur: ukuran partikel ≧ 0.3um), ≦ 0.18pcs/cm2, kontaminasi logam ≦ 2E10/cm2
Cathetan Spesifikasi sing bisa disesuaikan: orientasi bidang a/r/m, sudut sing ora rata, bentuk, polesan sisih dobel

Fitur-fitur

Diagram Rinci

IMG_
IMG_(1)

Pambuka Safir

Wafer safir iku bahan substrat kristal tunggal sing digawe saka aluminium oksida sintetis (Al₂O₃) kanthi kemurnian dhuwur. Kristal safir gedhe ditumbuhake nggunakake metode canggih kayata Kyropoulos (KY) utawa Metode Pertukaran Panas (HEM), banjur diproses liwat pemotongan, orientasi, penggilingan, lan pemolesan presisi. Amarga sifat fisik, optik, lan kimia sing luar biasa, wafer safir nduweni peran sing ora bisa diganti ing bidang semikonduktor, optoelektronik, lan elektronik konsumen kelas atas.

IMG_0785_副本

Metode Sintesis Safir Utama

Metode Prinsip Kauntungan Aplikasi Utama
Metode Verneuil(Flame Fusion) (Gabungan Geni) Bubuk Al₂O₃ kanthi kemurnian dhuwur dilelehke ing geni oksihidrogen, tetesan-tetesan kasebut bakal padhet lapis demi lapis ing wiji. Regane murah, efisiensi dhuwur, proses sing relatif prasaja Safir kualitas permata, bahan optik awal
Metode Czochralski (CZ) Al₂O₃ dilebur ing wadhah, lan kristal wiji ditarik munggah alon-alon kanggo ngembangake kristal kasebut. Ngasilake kristal sing relatif gedhe kanthi integritas sing apik Kristal laser, jendela optik
Metode Kyropoulos (KY) Pendinginan alon sing dikontrol ngidini kristal tuwuh kanthi bertahap ing njero wadah. Bisa nuwuhake kristal ukuran gedhe lan tekanan rendah (puluhan kilogram utawa luwih) Substrat LED, layar smartphone, komponen optik
Metode HEM(Pertukaran Panas) Pendinginan diwiwiti saka ndhuwur wadhah, kristal tuwuh mudhun saka wiji Ngasilake kristal sing gedhe banget (nganti atusan kilogram) kanthi kualitas sing seragam Jendela optik gedhe, aerospace, optik militer
1
2
3
4

Orientasi Kristal

Orientasi / Bidang Indeks Miller Karakteristik Aplikasi Utama
Pesawat C (0001) Tegak lurus karo sumbu c, permukaan polar, atom-atom disusun seragam LED, dioda laser, substrat epitaksial GaN (sing paling akeh digunakake)
Pesawat A (11-20) Sejajar karo sumbu c, permukaan non-polar, ngindhari efek polarisasi Piranti epitaksi GaN non-polar, piranti optoelektronik
M-plane (10-10) Sejajar karo sumbu c, non-polar, simetri dhuwur Piranti epitaksi GaN kinerja dhuwur, optoelektronik
R-plane (1-102) Miring menyang sumbu c, sifat optik sing apik banget Jendela optik, detektor inframerah, komponen laser

 

orientasi kristal

Spesifikasi Wafer Safir (Bisa Disesuaikan)

Barang Wafer Safir C-plane 1-inci (0001) 430μm
Bahan Kristal 99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan C-plane(0001)
Bidang C ora rata karo sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diameter 25,4 mm +/- 0,1 mm
Kekandelan 430 μm +/- 25 μm
Sisi Tunggal Dipoles Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(SSP) Permukaan Belakang Giling alus, Ra = 0,8 μm nganti 1,2 μm
Dipoles Sisi Ganda Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(DSP) Permukaan Belakang Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
TTV < 5 μm
GAndhewa < 5 μm
WARP < 5 μm
Reresik / Pengemasan Reresik kamar resik Kelas 100 lan kemasan vakum,
25 lembar ing sak kemasan kaset utawa kemasan sak lembar.

 

Barang Wafer Safir C-plane 2-inci (0001) 430μm
Bahan Kristal 99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan C-plane(0001)
Bidang C ora rata karo sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diameter 50,8 mm +/- 0,1 mm
Kekandelan 430 μm +/- 25 μm
Orientasi Datar Utama A-plane (11-20) +/- 0.2°
Dawane Datar Utama 16,0 mm +/- 1,0 mm
Sisi Tunggal Dipoles Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(SSP) Permukaan Belakang Giling alus, Ra = 0,8 μm nganti 1,2 μm
Dipoles Sisi Ganda Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(DSP) Permukaan Belakang Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
TTV < 10 μm
GAndhewa < 10 μm
WARP < 10 μm
Reresik / Pengemasan Reresik kamar resik Kelas 100 lan kemasan vakum,
25 lembar ing sak kemasan kaset utawa kemasan sak lembar.
Barang Wafer Safir C-plane 3-inci (0001) 500μm
Bahan Kristal 99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan C-plane(0001)
Bidang C ora rata karo sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diameter 76,2 mm +/- 0,1 mm
Kekandelan 500 μm +/- 25 μm
Orientasi Datar Utama A-plane (11-20) +/- 0.2°
Dawane Datar Utama 22,0 mm +/- 1,0 mm
Sisi Tunggal Dipoles Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(SSP) Permukaan Belakang Giling alus, Ra = 0,8 μm nganti 1,2 μm
Dipoles Sisi Ganda Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(DSP) Permukaan Belakang Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
TTV < 15 μm
GAndhewa < 15 μm
WARP < 15 μm
Reresik / Pengemasan Reresik kamar resik Kelas 100 lan kemasan vakum,
25 lembar ing sak kemasan kaset utawa kemasan sak lembar.
Barang Wafer Safir C-plane 4-inci (0001) 650μm
Bahan Kristal 99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan C-plane(0001)
Bidang C ora rata karo sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diameter 100,0 mm +/- 0,1 mm
Kekandelan 650 μm +/- 25 μm
Orientasi Datar Utama A-plane (11-20) +/- 0.2°
Dawane Datar Utama 30,0 mm +/- 1,0 mm
Sisi Tunggal Dipoles Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(SSP) Permukaan Belakang Giling alus, Ra = 0,8 μm nganti 1,2 μm
Dipoles Sisi Ganda Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(DSP) Permukaan Belakang Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
TTV < 20 μm
GAndhewa < 20 μm
WARP < 20 μm
Reresik / Pengemasan Reresik kamar resik Kelas 100 lan kemasan vakum,
25 lembar ing sak kemasan kaset utawa kemasan sak lembar.
Barang Wafer Safir C-plane 6-inci (0001) 1300μm
Bahan Kristal 99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan C-plane(0001)
Bidang C ora rata karo sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diameter 150,0 mm +/- 0,2 mm
Kekandelan 1300 μm +/- 25 μm
Orientasi Datar Utama A-plane (11-20) +/- 0.2°
Dawane Datar Utama 47,0 mm +/- 1,0 mm
Sisi Tunggal Dipoles Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(SSP) Permukaan Belakang Giling alus, Ra = 0,8 μm nganti 1,2 μm
Dipoles Sisi Ganda Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(DSP) Permukaan Belakang Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
TTV < 25 μm
GAndhewa < 25 μm
WARP < 25 μm
Reresik / Pengemasan Reresik kamar resik Kelas 100 lan kemasan vakum,
25 lembar ing sak kemasan kaset utawa kemasan sak lembar.
Barang Wafer Safir C-plane 8-inci (0001) 1300μm
Bahan Kristal 99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan C-plane(0001)
Bidang C ora rata karo sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diameter 200,0 mm +/- 0,2 mm
Kekandelan 1300 μm +/- 25 μm
Sisi Tunggal Dipoles Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(SSP) Permukaan Belakang Giling alus, Ra = 0,8 μm nganti 1,2 μm
Dipoles Sisi Ganda Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(DSP) Permukaan Belakang Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
TTV < 30 μm
GAndhewa < 30 μm
WARP < 30 μm
Reresik / Pengemasan Reresik kamar resik Kelas 100 lan kemasan vakum,
Kemasan siji-siji.

 

Barang Wafer Safir C-plane 12-inci (0001) 1300μm
Bahan Kristal 99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan C-plane(0001)
Bidang C ora rata karo sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diameter 300,0 mm +/- 0,2 mm
Kekandelan 3000 μm +/- 25 μm
Sisi Tunggal Dipoles Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(SSP) Permukaan Belakang Giling alus, Ra = 0,8 μm nganti 1,2 μm
Dipoles Sisi Ganda Permukaan Ngarep Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
(DSP) Permukaan Belakang Dipoles epi, Ra < 0,2 nm (dening AFM)
TTV < 30 μm
GAndhewa < 30 μm
WARP < 30 μm

 

Proses Produksi Wafer Safir

  1. Pertumbuhan Kristal

    • Tandur boule safir (100–400 kg) nganggo metode Kyropoulos (KY) ing tungku pertumbuhan kristal khusus.

  2. Pengeboran & Pembentukan Ingot

    • Gunakna laras bor kanggo ngolah boule dadi batangan silinder kanthi diameter 2-6 inci lan dawane 50-200 mm.

  3. Anil Pertama

    • Priksani ingot kanggo cacat lan tindakake annealing suhu dhuwur pisanan kanggo ngurangi tekanan internal.

  4. Orientasi Kristal

    • Nemtokake orientasi sing tepat saka ingot safir (kayata, bidang-C, bidang-A, bidang-R) nggunakake instrumen orientasi.

  5. Gergaji Multi-Kawat

    • Iris ingot dadi wafer tipis miturut kekandelan sing dibutuhake nggunakake piranti pemotong multi-kawat.

  6. Inspeksi Awal & Anil Kapindho

    • Priksani wafer sing wis dipotong (kekandelan, kerataan, cacat permukaan).

    • Lakoni annealing maneh yen perlu kanggo ningkatake kualitas kristal luwih lanjut.

  7. Chamfering, Grinding & Poles CMP

    • Nindakake chamfering, grinding permukaan, lan polesan mekanik kimia (CMP) nganggo peralatan khusus kanggo entuk permukaan sing rata kaya pangilon.

  8. Reresik

    • Resiki wafer kanthi tliti nggunakake banyu ultra-murni lan bahan kimia ing lingkungan kamar sing resik kanggo mbusak partikel lan kontaminan.

  9. Inspeksi Optik & Fisik

    • Nindakake deteksi transmitansi lan ngrekam data optik.

    • Ukur parameter wafer kalebu TTV (Total Thickness Variation), Bow, Warp, akurasi orientasi, lan kekasaran permukaan.

  10. Lapisan (Opsional)

  • Olesake lapisan (kayata, lapisan AR, lapisan protèktif) miturut spesifikasi pelanggan.

  1. Inspeksi & Kemasan Akhir

  • Tindakake pamriksaan kualitas 100% ing kamar sing resik.

  • Bungkus wafer ing kothak kaset miturut kondisi resik Kelas-100 lan segel nganggo vakum sadurunge dikirim.

20230721140133_51018

Aplikasi Wafer Safir

Wafer safir, kanthi atose sing luar biasa, transmitansi optik sing luar biasa, kinerja termal sing apik banget, lan insulasi listrik, digunakake sacara wiyar ing pirang-pirang industri. Aplikasine ora mung nyakup industri LED lan optoelektronik tradisional nanging uga berkembang menyang semikonduktor, elektronik konsumen, lan bidang aerospace lan pertahanan sing canggih.

1. Semikonduktor lan Optoelektronika

Substrat LED
Wafer safir minangka substrat utama kanggo pertumbuhan epitaksial gallium nitrida (GaN), sing akeh digunakake ing LED biru, LED putih, lan teknologi Mini/Micro LED.

Dioda Laser (LD)
Minangka substrat kanggo dioda laser berbasis GaN, wafer safir ndhukung pangembangan piranti laser daya tinggi lan awet.

Photodetector
Ing fotodetektor ultraviolet lan inframerah, wafer safir asring digunakake minangka jendela transparan lan substrat insulasi.

2. Piranti Semikonduktor

RFIC (Sirkuit Terpadu Frekuensi Radio)
Amarga insulasi listrik sing apik banget, wafer safir minangka substrat sing cocog kanggo piranti gelombang mikro frekuensi dhuwur lan daya dhuwur.

Teknologi Silikon-ing-Safir (SoS)
Kanthi ngetrapake teknologi SoS, kapasitansi parasit bisa dikurangi banget, ningkatake kinerja sirkuit. Iki digunakake sacara wiyar ing komunikasi RF lan elektronik aerospace.

3. Aplikasi Optik

Jendela Optik Inframerah
Kanthi transmitansi dhuwur ing kisaran dawa gelombang 200 nm–5000 nm, safir digunakake sacara ekstensif ing detektor inframerah lan sistem pandhuan inframerah.

Jendela Laser Daya Tinggi
Kekerasan lan tahan termal safir ndadekake bahan sing apik banget kanggo jendela lan lensa protèktif ing sistem laser daya dhuwur.

4. Elektronik Konsumen

Penutup Lensa Kamera
Kekerasan safir sing dhuwur njamin tahan goresan kanggo smartphone lan lensa kamera.

Sensor Sidik Jari
Wafer safir bisa dadi tutup transparan lan awet sing ningkatake akurasi lan keandalan ing pangenalan bekas driji.

Jam Tangan Pintar lan Layar Premium
Layar safir nggabungake tahan goresan karo kejelasan optik sing dhuwur, saengga populer ing produk elektronik kelas atas.

5. Dirgantara lan Pertahanan

Kubah Inframerah Rudal
Jendhela safir tetep transparan lan stabil ing kondisi suhu dhuwur lan kecepatan dhuwur.

Sistem Optik Dirgantara
Iki digunakake ing jendela optik kekuatan dhuwur lan peralatan observasi sing dirancang kanggo lingkungan ekstrem.

20240805153109_20914

Produk Safir Umum Liyane

Produk Optik

  • Jendela Optik Safir

    • Digunakake ing laser, spektrometer, sistem pencitraan inframerah, lan jendela sensor.

    • Jarak transmisi:UV 150 nm nganti IR tengah 5,5 μm.

  • Lensa Safir

    • Ditrapake ing sistem laser daya dhuwur lan optik aerospace.

    • Bisa digawe minangka lensa cembung, cekung, utawa silinder.

  • Prisma Safir

    • Digunakake ing instrumen pangukuran optik lan sistem pencitraan presisi.

u11_ph01
u11_ph02

Dirgantara & Pertahanan

  • Kubah Safir

    • Lindungi para pencari inframerah ing rudal, UAV, lan pesawat.

  • Penutup Pelindung Safir

    • Tahan dampak aliran udara kecepatan tinggi lan lingkungan sing atos.

17

Kemasan Produk

IMG_0775_副本
_cgi-bin_mmwebwx-bin_webwxgetmsgimg__&MsgID=871015041831747236&skey=@crypt_5be9fd73_3c2da10f381656c71b8a6fcc3900aedc&mmweb_appid=wx_webfilehelper

Babagan XINKEHUI

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. minangka salah sawijining perusahaan sing beroperasi ing Shanghai.pemasok optik & semikonduktor paling gedhé ing Tiongkok, diadegaké ing taun 2002. XKH dikembangaké kanggo nyedhiyakake wafer lan bahan ilmiah liyané sing ana gandhèngané karo semikonduktor kanggo para peneliti akademik. Bahan semikonduktor minangka bisnis inti utama kita, tim kita adhedhasar teknis, wiwit diadegaké, XKH melu banget ing riset lan pangembangan bahan elektronik canggih, utamane ing babagan macem-macem wafer / substrat.

456789

Mitra

Kanthi teknologi bahan semikonduktor sing apik banget, Shanghai Zhimingxin wis dadi mitra sing dipercaya dening perusahaan-perusahaan top ing donya lan institusi akademik sing misuwur. Kanthi kegigihan ing inovasi lan kaunggulan, Zhimingxin wis mbentuk hubungan kerjasama sing jero karo para pemimpin industri kayata Schott Glass, Corning, lan Seoul Semiconductor. Kolaborasi iki ora mung ningkatake tingkat teknis produk kita, nanging uga ningkatake pangembangan teknologi ing bidang elektronika daya, piranti optoelektronik, lan piranti semikonduktor.

Saliyané kerjasama karo perusahaan-perusahaan kondhang, Zhimingxin uga wis nggawé hubungan kerjasama riset jangka panjang karo universitas-universitas top ing saindenging jagad kaya ta Universitas Harvard, University College London (UCL), lan Universitas Houston. Liwat kolaborasi iki, Zhimingxin ora mung nyedhiyakake dhukungan teknis kanggo proyèk riset ilmiah ing akademi, nanging uga melu pangembangan bahan anyar lan inovasi teknologi, njamin manawa kita tansah ana ing ngarep industri semikonduktor.

Liwat kerjasama sing raket karo perusahaan-perusahaan lan institusi akademik sing misuwur ing donya iki, Shanghai Zhimingxin terus ningkatake inovasi lan pangembangan teknologi, nyedhiyakake produk lan solusi kelas dunia kanggo nyukupi kabutuhan pasar global sing saya tambah.

未命名的设计
  • Sadurunge:
  • Sabanjure:

    • Produk sing gegandhengan

    Tulis pesenmu ing kene lan kirim menyang kita
    Pencet enter kanggo nggoleki utawa ESC kanggo nutup