Wafer AlN-on-NPSS: Lapisan Nitrida Aluminium Kinerja Tinggi ing Substrat Safir Non-Poles kanggo Aplikasi Suhu Dhuwur, Daya Dhuwur, lan RF

Katrangan singkat:

Wafer AlN-on-NPSS nggabungake lapisan aluminium nitride (AlN) kanthi kinerja dhuwur karo substrat safir sing ora dipoles (NPSS) kanggo menehi solusi sing cocog kanggo aplikasi suhu dhuwur, daya dhuwur, lan frekuensi radio (RF). Kombinasi unik saka konduktivitas termal lan sifat listrik AlN sing luar biasa, bebarengan karo kekuatan mekanik substrat sing apik banget, ndadekake wafer iki dadi pilihan sing dikarepake kanggo aplikasi sing nuntut kayata elektronika daya, piranti frekuensi dhuwur, lan komponen optik. Kanthi boros panas banget, mundhut kurang, lan kompatibilitas karo lingkungan suhu dhuwur, wafer iki mbisakake pangembangan piranti generasi sabanjuré karo kinerja unggul.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Fitur

Lapisan AlN Kinerja Dhuwur: Aluminium Nitride (AlN) dikenal kanggo sawijiningkonduktivitas termal dhuwur(~200 W/m·K),bandgap amba, lanvoltase risak dhuwur, nggawe bahan becik kanggodaya dhuwur, frekuensi dhuwur, lansuhu dhuwuraplikasi.

Non-Polish Sapphire Substrat (NPSS): Safir sing ora dipoles nyedhiyakake alarang regane, kuwat mekanikbasa, njamin pondasi stabil kanggo wutah epitaxial tanpa kerumitan polishing lumahing. Sifat mekanik NPSS sing apik banget ndadekake awet kanggo lingkungan sing tantangan.

Stabilitas Termal DhuwurWafer AlN-on-NPSS bisa nahan fluktuasi suhu sing ekstrem, saengga bisa digunakake ingelektronika daya, sistem otomotif, LED, lanaplikasi optiksing mbutuhake kinerja stabil ing kahanan suhu dhuwur.

Isolasi Listrik: AlN nduweni sifat insulating electrical banget, nggawe iku sampurna kanggo aplikasi ngendiisolasi listrikkritis, kalebupiranti RFlanelektronik gelombang mikro.

Disipasi Panas unggul: Kanthi konduktivitas termal sing dhuwur, lapisan AlN njamin boros panas sing efektif, sing penting kanggo njaga kinerja lan umur dawa piranti sing digunakake ing daya lan frekuensi dhuwur.

Parameter teknis

Paramèter	Spesifikasi
Diameter wafer	2 inci, 4 inci (ukuran khusus kasedhiya)
Tipe Substrat	Non-Polish Sapphire Substrat (NPSS)
Ketebalan Lapisan AlN	2µm nganti 10µm (bisa disesuaikan)
Ketebalan substrat	430µm ± 25µm (kanggo 2 inci), 500µm ± 25µm (kanggo 4 inci)
Konduktivitas termal	200 W/m·K
Resistivitas listrik	Insulasi dhuwur, cocok kanggo aplikasi RF
Kekasaran lumahing	Ra ≤ 0,5µm (kanggo lapisan AlN)
Kemurnian materi	AlN kemurnian dhuwur (99,9%)
warna	Putih/Putih-Putih (lapisan AlN kanthi substrat NPSS werna padhang)
Wafer Warp	<30µm (khas)
Tipe Doping	Un-doped (bisa disesuaikan)

Aplikasi

Ingwafer AlN-on-NPSSdirancang kanggo macem-macem aplikasi kinerja dhuwur ing sawetara industri:

Elektronik Daya Dhuwur: Konduktivitas termal sing dhuwur lan sifat insulasi lapisan AlN nggawe bahan sing cocog kanggotransistor daya, rectifiers, lanIC dayadigunakake ingotomotif, industri, lanenergi dianyarisistem.

Komponen Frekuensi Radio (RF).: Sifat insulasi listrik sing apik banget saka AlN, ditambah karo mundhut sing sithik, bisa ngasilaketransistor RF, HEMT (High-Electron-Mobility Transistor), lan liyanekomponen gelombang mikrosing operate efisien ing frekuensi dhuwur lan tingkat daya.

Piranti Optik: AlN-on-NPSS wafer digunakake ingdioda laser, LED, lanfotodetektor, ngendikonduktivitas termal dhuwurlanketahanan mekanikpenting kanggo njaga kinerja sajrone umur dawa.

Sensor Suhu Dhuwur: Kemampuan wafer kanggo tahan panas nemen ndadekake cocok kanggosensor suhulanngawasi lingkunganing industri kayaaerospace, otomotif, lanlenga & gas.

Kemasan Semikonduktor: Digunakake ing panyebaran panaslanlapisan manajemen termaling sistem kemasan, njamin linuwih lan efisiensi semikonduktor.

Q&A

P: Apa keuntungan utama wafer AlN-on-NPSS tinimbang bahan tradisional kaya silikon?

A: Kauntungan utama yaiku AlNkonduktivitas termal dhuwur, kang ngidini kanggo irit dissipate panas, nggawe iku becik kanggodaya dhuwurlanaplikasi frekuensi dhuwurngendi manajemen panas iku kritis. Kajaba iku, AlN nduweni abandgap ambalan apik bangetisolasi listrik, nggawe unggul kanggo nggunakake ingRFlanpiranti gelombang mikrodibandhingake karo silikon tradisional.

P: Apa lapisan AlN ing wafer NPSS bisa disesuaikan?

A: Ya, lapisan AlN bisa disesuaikan miturut kekandelan (saka 2µm nganti 10µm utawa luwih) kanggo nyukupi kabutuhan khusus aplikasi sampeyan. Kita uga nawakake kustomisasi babagan jinis doping (jinis N utawa jinis P) lan lapisan tambahan kanggo fungsi khusus.

P: Apa aplikasi khas kanggo wafer iki ing industri otomotif?

A: Ing industri otomotif, wafer AlN-on-NPSS umume digunakake ingelektronika daya, Sistem pencahayaan LED, lansensor suhu. Dheweke nyedhiyakake manajemen termal lan insulasi listrik sing unggul, sing penting kanggo sistem efisiensi dhuwur sing bisa digunakake ing kahanan suhu sing beda-beda.