6inch SiC Epitaxiy wafer N / P jinis nampa selaras
Proses persiapan wafer epitaxial silikon karbida yaiku metode nggunakake teknologi Chemical Vapor Deposition (CVD).Ing ngisor iki minangka prinsip teknis sing relevan lan langkah-langkah proses persiapan:
Prinsip teknis:
Deposisi Uap Kimia: Nggunakake gas bahan mentahan ing fase gas, ing kahanan reaksi tartamtu, decomposed lan setor ing landasan kanggo mbentuk film tipis sing dikarepake.
Reaksi fase gas: Liwat reaksi pirolisis utawa retak, macem-macem gas bahan mentah ing fase gas diganti kanthi kimia ing kamar reaksi.
Langkah-langkah persiapan:
Pengobatan substrat: Substrat diresiki lan diresiki permukaan kanggo njamin kualitas lan kristalinitas wafer epitaxial.
Debugging kamar reaksi: nyetel suhu, tekanan lan tingkat aliran saka kamar reaksi lan paramèter liyane kanggo njamin stabilitas lan kontrol kahanan reaksi.
Pasokan bahan mentah: nyuplai bahan mentah gas sing dibutuhake menyang kamar reaksi, nyampur lan ngontrol tingkat aliran sing dibutuhake.
Proses reaksi: Kanthi dadi panas ing kamar reaksi, bahan baku gas ngalami reaksi kimia ing kamar kasebut kanggo ngasilake simpenan sing dikarepake, yaiku film silikon karbida.
Cooling lan unloading: Ing mburi reaksi, suhu mboko sithik sudo kanggo kelangan lan solidify celengan ing kamar reaksi.
Epitaxial wafer annealing lan post-processing: wafer epitaxial sing disimpen wis anil lan post-processing kanggo nambah sifat listrik lan optik.
Langkah-langkah lan kahanan tartamtu saka proses persiapan wafer epitaxial silikon karbida bisa beda-beda gumantung saka peralatan lan syarat tartamtu.Ing ndhuwur mung aliran lan prinsip proses umum, operasi tartamtu kudu diatur lan dioptimalake miturut kahanan sing nyata.
Diagram rinci
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)