Substrat Wafer Germanium 50,8mm 2 inci Kristal tunggal 1SP 2SP
Informasi Rinci
Chip Germanium nduweni sipat semikonduktor. Wis nduweni peran penting ing pangembangan fisika kahanan padat lan elektronik kahanan padat. Germanium nduweni kapadhetan leleh 5,32 g/cm3, germanium bisa diklasifikasikake minangka logam tipis sing kasebar, stabilitas kimia germanium, ora berinteraksi karo udara utawa uap banyu ing suhu ruangan, nanging ing 600 ~ 700 ℃, germanium dioksida cepet diasilake. Ora bisa digunakake karo asam klorida, asam sulfat encer. Nalika asam sulfat pekat dipanasake, germanium bakal larut alon-alon. Ing asam nitrat lan aqua regia, germanium gampang larut. Efek larutan alkali ing germanium banget ringkih, nanging alkali cair ing udara bisa nggawe germanium larut kanthi cepet. Germanium ora bisa digunakake karo karbon, mula dilebur ing wadah grafit lan ora bakal terkontaminasi dening karbon. Germanium nduweni sipat semikonduktor sing apik, kayata mobilitas elektron, mobilitas bolongan lan liya-liyane. Pangembangan germanium isih nduweni potensi gedhe.
Spesifikasi
| Metode pertumbuhan | CZ | ||
| institusi kristal | Sistem kubik | ||
| Konstanta kisi | a=5.65754 Å | ||
| Kapadhetan | 5.323g/cm3 | ||
| Titik leleh | 937,4℃ | ||
| Doping | Pembatalan doping | Doping-Sb | Doping-Ga |
| Tipe | / | N | P |
| perlawanan | >35Ωcm | 0,01~35 Ωcm | 0,05~35 Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Diameter | 2 inci/50,8 mm | ||
| Kekandelan | 0.5mm, 1.0mm | ||
| Permukaan | DSP lan SSP | ||
| Orientasi | <100>,<110>,<111>,±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å(5µm×5µm) | ||
| Paket | Paket 100 kelas, kamar 1000 kelas | ||
Diagram Rinci



