Substrat silikon karbida Sic 2 inci Tipe 6H-N Poles sisi ganda 0,33mm 0,43mm Konduktivitas termal dhuwur konsumsi daya rendah

Katrangan Cekak:

Silikon karbida (SiC) minangka bahan semikonduktor celah pita amba kanthi konduktivitas termal lan stabilitas kimia sing apik banget.6H-Nnuduhake yen struktur kristale awujud heksagonal (6H), lan "N" nuduhake yen iku minangka bahan semikonduktor tipe-N, sing biasane ditindakake kanthi doping nitrogen.
Substrat silikon karbida nduweni karakteristik sing apik banget yaiku tahan tekanan dhuwur, tahan suhu dhuwur, kinerja frekuensi dhuwur, lan liya-liyane. Dibandhingake karo produk silikon, piranti sing disiapake dening substrat silikon bisa nyuda kerugian nganti 80% lan nyuda ukuran piranti nganti 90%. Ing babagan kendaraan energi anyar, silikon karbida bisa mbantu kendaraan energi anyar entuk bobot entheng lan nyuda kerugian, lan nambah jangkauan nyopir; Ing bidang komunikasi 5G, bisa digunakake kanggo nggawe peralatan sing gegandhengan; Ing pembangkit listrik fotovoltaik bisa nambah efisiensi konversi; Bidang transit rel bisa nggunakake karakteristik tahan suhu dhuwur lan tekanan dhuwur.

Kirim email menyang kita

Fitur-fitur

Ing ngisor iki minangka ciri-ciri wafer silikon karbida 2 inci

1. Kekerasan: Kekerasan Mohs kira-kira 9,2.
2. Struktur kristal: struktur kisi heksagonal.
3. Konduktivitas termal sing dhuwur: konduktivitas termal SiC luwih dhuwur tinimbang silikon, sing kondusif kanggo disipasi panas sing efektif.
4. Celah pita amba: celah pita SiC udakara 3.3eV, cocok kanggo aplikasi suhu dhuwur, frekuensi dhuwur, lan daya dhuwur.
5. Medan listrik lan mobilitas elektron sing rusak: Medan listrik lan mobilitas elektron sing rusak dhuwur, cocok kanggo piranti elektronika daya sing efisien kayata MOSFET lan IGBT.
6. Stabilitas kimia lan tahan radiasi: cocok kanggo lingkungan sing atos kayata aerospace lan pertahanan nasional. Tahan kimia sing apik banget, asam, alkali lan pelarut kimia liyane.
7. Kekuwatan mekanik sing dhuwur: Kekuwatan mekanik sing apik banget ing lingkungan suhu lan tekanan dhuwur.
Iki bisa digunakake sacara wiyar ing peralatan elektronik daya dhuwur, frekuensi dhuwur, lan suhu dhuwur, kayata fotodetektor ultraviolet, inverter fotovoltaik, PCU kendaraan listrik, lan liya-liyane.

Wafer silikon karbida 2 inci nduweni sawetara aplikasi.

1. Piranti elektronik daya: digunakake kanggo nggawe MOSFET daya efisiensi dhuwur, IGBT lan piranti liyane, sing akeh digunakake ing konversi daya lan kendaraan listrik.

2. Piranti Rf: Ing piranti komunikasi, SiC bisa digunakake ing amplifier frekuensi dhuwur lan amplifier daya RF.

3. Piranti fotoelektrik: kayata LED berbasis SIC, utamane ing aplikasi biru lan ultraviolet.

4. Sensor: Amarga tahan suhu lan kimia sing dhuwur, substrat SiC bisa digunakake kanggo nggawe sensor suhu dhuwur lan aplikasi sensor liyane.

5. Militer lan aerospace: amarga tahan suhu dhuwur lan karakteristik kekuatan dhuwur, cocok kanggo digunakake ing lingkungan ekstrem.

Bidang aplikasi utama substrat SIC tipe 6H-N 2 "kalebu kendaraan energi anyar, stasiun transmisi lan transformasi tegangan tinggi, barang putih, sepur kecepatan tinggi, motor, inverter fotovoltaik, catu daya pulsa lan liya-liyane.

XKH bisa disesuaikan karo kekandelan sing beda-beda miturut kabutuhan pelanggan. Ana macem-macem perawatan kekasaran permukaan lan polesan sing kasedhiya. Macem-macem jinis doping (kayata doping nitrogen) didhukung. Wektu pangiriman standar yaiku 2-4 minggu, gumantung saka kustomisasi. Gunakake bahan kemasan anti-statis lan busa anti-seismik kanggo njamin keamanan substrat. Macem-macem pilihan pengiriman kasedhiya, lan pelanggan bisa mriksa status logistik kanthi wektu nyata liwat nomer pelacakan sing diwenehake. Nyedhiyakake dhukungan teknis lan layanan konsultasi kanggo mesthekake yen pelanggan bisa ngatasi masalah sajrone proses panggunaan.