2 inch Sic silicon carbide substrate 6H-N Tipe 0.33mm 0.43mm polishing dua sisi konduktivitas termal dhuwur konsumsi daya rendah

2 inch Sic silicon carbide substrate 6H-N Tipe 0.33mm 0.43mm polesan dobel sisi Konduktivitas termal dhuwur konsumsi daya rendah Gambar Utama

Katrangan singkat:

Silicon carbide (SiC) minangka bahan semikonduktor celah pita lebar kanthi konduktivitas termal lan stabilitas kimia sing apik. Tipe 6H-N nuduhake yen struktur kristal kasebut heksagonal (6H), lan "N" nuduhake yen bahan semikonduktor tipe N, sing biasane digayuh kanthi doping nitrogen.
Substrat karbida silikon nduweni karakteristik resistensi tekanan dhuwur, resistensi suhu dhuwur, kinerja frekuensi dhuwur, lan liya-liyane. Ing babagan kendaraan energi anyar, karbida silikon bisa mbantu kendaraan energi anyar entuk bobot entheng lan nyuda kerugian, lan nambah jarak nyopir; Ing bidang komunikasi 5G, bisa digunakake kanggo nggawe peralatan sing gegandhengan; Ing generasi daya photovoltaic bisa nambah efficiency konversi; Bidang transit rel bisa nggunakake karakteristik tahan suhu lan tekanan dhuwur.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Ing ngisor iki minangka karakteristik wafer silikon karbida 2inch

1. Kekerasan: Kekerasan Mohs kira-kira 9.2.
2. Struktur kristal: struktur kisi heksagonal.
3. Konduktivitas termal sing dhuwur: konduktivitas termal SiC luwih dhuwur tinimbang silikon, sing kondusif kanggo boros panas sing efektif.
4. Wide band longkangan: longkangan band saka SiC kira 3.3eV, cocok kanggo suhu dhuwur, frekuensi dhuwur lan aplikasi daya dhuwur.
5. Breakdown medan listrik lan mobilitas elektron: High breakdown kolom listrik lan mobilitas elektron, cocok kanggo piranti elektronik daya efisien kayata MOSFETs lan IGBTs.
6. Stabilitas kimia lan tahan radiasi: cocok kanggo lingkungan sing atos kayata aerospace lan pertahanan nasional. Resistance kimia sing apik, asam, alkali lan pelarut kimia liyane.
7. Kekuwatan mekanik sing dhuwur: Kekuwatan mekanik sing apik ing suhu dhuwur lan lingkungan tekanan dhuwur.
Bisa digunakake digunakake ing daya dhuwur, frekuensi dhuwur lan peralatan elektronik suhu dhuwur, kayata photodetector ultraviolet, inverter photovoltaic, PCUs kendaraan listrik, etc.

Wafer silikon karbida 2inch duwe sawetara aplikasi.

1.Power piranti elektronik: digunakake kanggo Pabrik dhuwur-efficiency daya MOSFET, IGBT lan piranti liyane, digunakake digunakake ing konversi daya lan kendaraan listrik.

Piranti 2.Rf: Ing peralatan komunikasi, SiC bisa digunakake ing amplifier frekuensi dhuwur lan amplifier daya RF.

Piranti 3.Photoelectric: kayata led berbasis SIC, utamane ing aplikasi biru lan ultraviolet.

4.Sensor: Amarga suhu dhuwur lan resistance kimia, substrat SiC bisa digunakake kanggo nggawe sensor suhu dhuwur lan aplikasi sensor liyane.

5.Military lan aerospace: amarga resistance suhu dhuwur lan karakteristik kekuatan dhuwur, cocok kanggo nggunakake ing lingkungan nemen.

Bidang aplikasi utama 6H-N jinis 2 "SIC substrat kalebu kendaraan energi anyar, transmisi voltase dhuwur lan stasiun transformasi, barang putih, sepur kacepetan dhuwur, motor, inverter fotovoltaik, sumber daya pulsa lan sapiturute.

XKH bisa disesuaikan kanthi ketebalan sing beda-beda miturut syarat pelanggan. roughness lumahing beda lan perawatan polishing kasedhiya. Macem-macem jinis doping (kayata doping nitrogen) didhukung. Wektu pangiriman standar yaiku 2-4 minggu, gumantung saka kustomisasi. Gunakake bahan kemasan anti-statis lan busa anti-seismik kanggo njamin keamanan substrat. Ana macem-macem opsi pengiriman, lan pelanggan bisa mriksa status logistik kanthi nyata liwat nomer pelacakan sing kasedhiya. Nyedhiyani dhukungan teknis lan layanan konsultasi kanggo mesthekake yen pelanggan bisa ngatasi masalah sajrone proses panggunaan.