2 inch 4 inch 6 inch Patterned Sapphire Substrat (PSS) ing ngendi materi GaN ditanam bisa digunakake kanggo lampu LED

2 inch 4 inch 6 inch Patterned Sapphire Substrate (PSS) ing ngendi materi GaN ditanam bisa digunakake kanggo lampu LED Gambar Unggulan

Katrangan singkat:

Substrat safir bercorak (PSS) yaiku topeng kanggo etsa garing ing substrat safir, topeng kasebut diukir kanthi pola kanthi proses litografi standar, banjur safir kasebut diukir kanthi teknologi etsa ICP, lan topeng kasebut dicopot, lan pungkasane materi GaN ditanam ing ndhuwur, supaya epitaksi longitudinal saka bahan GapitaN dadi horisontal. Proses iki kalebu sawetara langkah kayata lapisan photoresist, eksposur langkah, ngembangake pola eksposur, etsa garing lan reresik ICP.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Fitur utama

1. Karakteristik struktural:
Lumahing PSS nduweni pola kerucut utawa kerucut segitiga sing bentuke, ukuran lan distribusi bisa dikontrol kanthi nyetel paramèter proses etsa.
Struktur grafis iki mbantu ngganti jalur panyebaran cahya lan nyuda refleksi total cahya, saéngga ningkatake efisiensi ekstraksi cahya.

2. Karakteristik materi:
PSS nggunakake sapir berkualitas tinggi minangka bahan substrat, sing nduweni karakteristik kekerasan dhuwur, konduktivitas termal sing dhuwur, stabilitas kimia sing apik lan transparansi optik.
Karakteristik kasebut mbisakake PSS nahan lingkungan sing atos kayata suhu lan tekanan dhuwur nalika njaga kinerja optik sing apik banget.

3. kinerja optik:
Kanthi ngganti macem-macem scattering ing antarmuka antarane GaN lan substrat sapir, PSS ndadekake foton sing rampung dibayangke ing lapisan GaN duwe kesempatan kanggo uwal saka substrat sapir.
Fitur iki sacara signifikan nambah efisiensi ekstraksi cahya saka LED lan nambah intensitas cahya LED.

4. Karakteristik proses:
Proses manufaktur PSS relatif rumit, nglibatake pirang-pirang langkah kayata litografi lan etsa, lan mbutuhake peralatan lan kontrol proses kanthi tliti dhuwur.
Nanging, kanthi kemajuan teknologi sing terus-terusan lan nyuda biaya, proses manufaktur PSS mboko sithik dioptimalake lan ditingkatake.

kauntungan inti

1.Improve efficiency extraction cahya: PSS Ngartekno mbenakake efficiency extraction cahya saka LED kanthi ngganti path panyebaran cahya lan ngurangi total bayangan.

2.Prolong umur LED: PSS bisa nyuda Kapadhetan dislokasi bahan epitaxial GaN, saéngga nyuda rekombinasi non-radiative lan mbalikke bocor saiki ing wilayah aktif, ndawakake umur LED.

3. Nambah padhange LED: Amarga asil dandan saka efficiency extraction cahya lan extension urip LED, intensitas cahya LED ing PSS wis Ngartekno meningkat.

4.Reduce biaya produksi: Senajan proses Manufaktur saka PSS punika relatif Komplek, iku bisa Ngartekno nambah efficiency luminous lan gesang LED, mangkono ngurangi biaya produksi kanggo ombone tartamtu lan Ngapikake daya saing prodhuk.

Area aplikasi utama

1. cahya LED: PSS minangka materi landasan kanggo Kripik LED, Ngartekno bisa nambah efficiency luminous lan urip LED.
Ing babagan lampu LED, PSS akeh digunakake ing macem-macem produk lampu, kayata lampu jalan, lampu meja, lampu mobil lan liya-liyane.

2. Piranti semikonduktor: Saliyane lampu LED, PSS uga bisa digunakake kanggo nggawe piranti semikonduktor liyane, kayata detektor cahya, laser, lan liya-liyane. Piranti kasebut nduweni macem-macem aplikasi ing bidang komunikasi, medis, militer lan liyane.

Integrasi 3.Optoelektronik: Sifat optik lan stabilitas PSS ndadekake salah sawijining bahan becik ing bidang integrasi optoelektronik. Ing integrasi optoelektronik, PSS bisa digunakake kanggo nggawe pandu gelombang optik, switch optik lan komponen liyane kanggo nyadari transmisi lan pangolahan sinyal optik.

Parameter teknis

Item	Substrat Safir Berpola (2~6 inci)
Dhiameter	50,8 ± 0,1 mm	100,0 ± 0,2 mm	150,0 ± 0,3 mm
kekandelan	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
Orientasi lumahing	C-bidang (0001) off-angle menyang sumbu-M (10-10) 0.2 ± 0.1°
	C-bidang (0001) off-angle menyang A-sumbu (11-20) 0 ± 0,1°
Orientasi Flat Primer	A-Bidang (11-20) ± 1,0 °
Panjang Datar Utama	16,0 ± 1,0 mm	30,0 ± 1,0 mm	47,5 ± 2,0 mm
R-Pesawat	jam 9
Rampung lumahing ngarep	Dipola
Mburi lumahing Rampung	SSP: Lemah alus, Ra = 0.8-1.2um; DSP: Epi-polesan, Ra <0.3nm
Tandha Laser	Sisih mburi
TTV	≤8μm	≤10μm	≤20μm
BOW	≤10μm	≤15μm	≤25μm
WARP	≤12μm	≤20μm	≤30μm
Pangecualian Edge	≤2 mm
Spesifikasi Pola	Struktur Wujud	Kubah, Cone, Piramida
	Pola Dhuwur	1.6~1.8μm
	Pola Diameter	2,75~2,85μm
	Pola Spasi	0,1 ~ 0,3μm

XKH fokus ing pangembangan, produksi lan dodolan substrat safir berpola (PSS), lan setya nyedhiyakake produk PSS sing bermutu lan berkinerja tinggi kanggo para pelanggan ing saindenging jagad. XKH nduweni teknologi manufaktur canggih lan tim teknis profesional, sing bisa ngatur produk PSS kanthi spesifikasi sing beda lan struktur pola sing beda miturut kabutuhan pelanggan. Ing wektu sing padha, XKH menehi perhatian marang kualitas produk lan kualitas layanan, lan setya nyedhiyakake pelanggan kanthi dhukungan teknis lan solusi sing lengkap. Ing lapangan PSS, XKH wis nambah pengalaman sugih lan kaluwihan, lan katon nerusake kanggo bisa bebarengan karo partners global kanggo bebarengan ningkataké pangembangan inovatif saka cahya LED, piranti semikonduktor lan industri liyane.