12 inch Diameter 300x1.0mmt Sapphire Wafer Substrat C-Plane SSP/DSP
Kahanan Pasar Substrat Sapphire 12inch
Saiki, sapir duwe rong kegunaan utama, siji yaiku bahan landasan, utamane materi substrat LED, sing liyane yaiku jam tangan, penerbangan, aeroangkasa, bahan jendela manufaktur khusus.
Senajan silikon karbida, silikon lan gallium nitride uga kasedhiya minangka substrat kanggo led saliyane sapir, produksi massal isih ora bisa amarga biaya lan sawetara bottlenecks technical unresolved. Sapphire landasan liwat pembangunan technical ing taun anyar, cocog kisi sawijining, konduktivitas listrik, mechanical, konduktivitas termal lan sifat liyane wis nemen apik lan dipun, kauntungan biaya-efektif punika wujud, supaya sapir wis dadi materi landasan paling diwasa lan stabil ing industri LED, wis digunakake digunakake ing pasar, pangsa pasar minangka dhuwur minangka 90%.
Karakteristik Substrat Wafer Sapphire 12 Inch
1. lumahing substrat Sapphire duwe count partikel arang banget kurang, karo kurang saka 50 partikel 0,3 microns utawa luwih gedhe saben 2 inci ing sawetara ukuran 2 kanggo 8 inci, lan logam utama (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) ngisor 2E10/cm2. Materi dhasar 12-inci uga dikarepake bisa entuk kelas iki.
2. Bisa digunakake minangka wafer operator kanggo proses manufaktur semikonduktor 12-inch (pallet transportasi ing piranti) lan minangka landasan kanggo ikatan.
3. Bisa ngontrol wujud permukaan cekung lan cembung.
Bahan: kristal tunggal Al2O3 kemurnian tinggi, wafer safir.
Kualitas LED, ora gelembung, retak, kembar, garis keturunan, ora ana warna..dll.
Wafer Sapphire 12 inch
| Orientasi | C-bidang<0001> +/- 1 deg. |
| Dhiameter | 300,0 +/-0,25 mm |
| kekandelan | 1.0 +/-25um |
| Notch | Notch utawa Flat |
| TTV | <50um |
| BOW | <50um |
| pinggiran | Protective chamfer |
| Sisih ngarep - polesan 80/50 | |
| tandha laser | ora ana |
| Kemasan | Kotak pembawa wafer tunggal |
| Sisih ngarep Epi siap dipoles (Ra <0,3nm) | |
| Sisih mburi Epi siap dipoles (Ra <0,3nm) | |
Diagram rinci
