Saiki, perusahaan kita bisa terus nyedhiyakake wafer SiC jinis 8inchN cilik, yen sampeyan duwe kabutuhan sampel, hubungi aku.Kita duwe sawetara wafer sampel sing siap dikirim.
Ing bidang bahan semikonduktor, perusahaan wis nggawe terobosan utama ing riset lan pangembangan kristal SiC ukuran gedhe.Kanthi nggunakake kristal wiji dhewe sawise sawetara babak saka nggedhekake diameteripun, perusahaan wis kasil thukul 8-inch N-jinis kristal SiC, kang solves masalah angel kayata lapangan suhu ora rata, retak kristal lan distribusi bahan mentahan phase gas ing proses wutah saka kristal SIC 8-inch, lan accelerates wutah saka ukuran gedhe kristal SIC lan teknologi Processing otonom lan kontrol.Nambah daya saing inti perusahaan ing industri substrat kristal tunggal SiC.Ing wektu sing padha, perusahaan aktif dipun promosiaken klempakan saka teknologi lan proses saka ukuran gedhe silikon carbide substrat preparation line eksperimen, strengthens exchange technical lan collaboration industri ing hulu lan hilir kothak, lan collaborates karo pelanggan kanggo terus-terusan iterate kinerja produk, lan bebarengan. dipun promosiaken jangkah saka aplikasi industri bahan silikon karbida.
| Spesifikasi SiC DSP tipe N 8 inci | |||||
| Nomer | Item | Unit | Produksi | Riset | goblok |
| 1. Paramèter | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi lumahing | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parameter listrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen tipe n | Nitrogen tipe n | Nitrogen tipe n |
| 2.2 | resistivitas | om · cm | 0,015~0,025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. Parameter mekanik | |||||
| 3.1 | diameteripun | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | kekandelan | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi notch | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Notch | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | gandhewo | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | Kapadhetan micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualitas positif | |||||
| 5.1 | ngarep | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Rampung lumahing | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | partikel | ea / wafer | ≤100 (ukuran ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | ngeruk | ea / wafer | ≤5, Total Length≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Pinggir chip / indents / retak / reregetan / kontaminasi | -- | ora ana | ora ana | NA |
| 5.6 | Wilayah politipe | -- | ora ana | Area ≤10% | Area ≤30% |
| 5.7 | tandha ngarep | -- | ora ana | ora ana | ora ana |
| 6. Kualitas mburi | |||||
| 6.1 | mburi rampung | -- | C-pasuryan MP | C-pasuryan MP | C-pasuryan MP |
| 6.2 | ngeruk | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Cacat mburi pinggiran kripik / indents | -- | ora ana | ora ana | NA |
| 6.4 | Kekasaran mburi | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Tandha mburi | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Pinggir | |||||
| 7.1 | pinggiran | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | pambungkus | -- | Epi-siap karo vakum pambungkus | Epi-siap karo vakum pambungkus | Epi-siap karo vakum pambungkus |
| 8.2 | pambungkus | -- | Multi-wafer packing kaset | Multi-wafer packing kaset | Multi-wafer packing kaset |
Wektu kirim: Apr-18-2023