Substrat reklamasi dummy wafer silikon tipe P/N (100) 1-100Ω 8 inci

Katrangan Cekak:

Inventaris gedhe wafer polesan sisih loro, kabeh wafer kanthi diameter 50 nganti 400mm. Yen spesifikasi sampeyan ora kasedhiya ing inventaris kita, kita wis nggawe hubungan jangka panjang karo akeh supplier sing bisa nggawe wafer khusus supaya cocog karo spesifikasi unik apa wae. Wafer polesan sisih loro bisa digunakake kanggo silikon, kaca, lan bahan liyane sing umum digunakake ing industri semikonduktor.

Kirim email menyang kita

Fitur-fitur

Ngenalake kothak wafer

Wafer silikon 8 inci minangka bahan substrat silikon sing umum digunakake lan digunakake sacara wiyar ing proses manufaktur sirkuit terpadu. Wafer silikon kaya ngono umum digunakake kanggo nggawe macem-macem jinis sirkuit terpadu, kalebu mikroprosesor, chip memori, sensor, lan piranti elektronik liyane. Wafer silikon 8 inci umum digunakake kanggo nggawe chip kanthi ukuran sing relatif gedhe, kanthi kaluwihan kalebu area permukaan sing luwih gedhe lan kemampuan kanggo nggawe luwih akeh chip ing siji wafer silikon, sing ndadékaké peningkatan efisiensi produksi. Wafer silikon 8 inci uga nduweni sifat mekanik lan kimia sing apik, sing cocog kanggo produksi sirkuit terpadu skala gedhe.

Fitur produk

Wafer silikon polesan tipe P/N 8" (25 pcs)

Orientasi: 200

Resistivitas: 0,1 - 40 ohm•cm (Bisa beda-beda saka batch siji menyang batch liyane)

Kekandelan: 725+/-20um

Kelas Utama/Monitor/Tes

SIFAT MATERI

Parameter	Ciri khas
Jinis/Dopan	P, Boron N, Fosfor N, Antimon N, Arsenik
Orientasi	<100>, <111> ngiris orientasi miturut spesifikasi pelanggan
Kandungan Oksigen	10¹⁹Toleransi ppmA khusus miturut spesifikasi pelanggan
Kandungan Karbon	< 0.6 ppmA

SIFAT MEKANIK

Parameter	Perdana	Monitor/ Tes A	Tes
Diameter	200±0.2mm	200 ± 0.2mm	200 ± 0,5 mm
Kekandelan	725±20µm (standar)	725±25µm (standar) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (standar)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Gandhewa	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Bungkus	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Pembulatan Tepi	SEMI-STD
Nandhani	Mung SEMI-Flat Utama, Flat SEMI-STD Jeida Flat, Notch

Parameter	Perdana	Monitor/ Tes A	Tes
Kriteria Sisih Ngarep
Kahanan permukaan	Kimia Mekanik Dipoles	Kimia Mekanik Dipoles	Kimia Mekanik Dipoles
Kekasaran Permukaan	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Kontaminasi Partikel@ >0.3 µm	= 20	= 20	= 30
Kabut, Lubang Kulit jeruk	Ora ana	Ora ana	Ora ana
Gergaji, Tandha Striations	Ora ana	Ora ana	Ora ana
Kriteria Sisih Mburi
Retakan, gagak, tandha gergaji, noda	Ora ana	Ora ana	Ora ana
Kahanan permukaan	Ukiran kaustik