Terobosan Utama ing Teknologi Pengangkatan Laser Wafer Silikon Karbida 12-Inci

Daftar Isi

1. Terobosan Utama ing Teknologi Pengangkatan Laser Wafer Silikon Karbida 12-Inci

2.​​Maneka Makna Terobosan Teknologi kanggo Pangembangan Industri SiC​​

3. Prospek Mangsa Ngarep: Kolaborasi Industri lan Pengembangan Komprehensif XKH

Bubar iki, Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd., produsen peralatan semikonduktor domestik sing unggul, wis nggawe terobosan sing signifikan ing teknologi pangolahan wafer silikon karbida (SiC). Perusahaan kasebut kasil ngluncurake wafer silikon karbida 12 inci nggunakake peralatan angkat laser sing dikembangake kanthi mandiri. Terobosan iki nandhani langkah penting kanggo China ing bidang peralatan manufaktur kunci semikonduktor generasi katelu lan nyedhiyakake solusi anyar kanggo nyuda biaya lan ningkatake efisiensi ing industri silikon karbida global. Teknologi iki sadurunge wis divalidasi dening pirang-pirang pelanggan ing bidang silikon karbida 6/8 inci, kanthi kinerja peralatan tekan tingkat lanjut internasional.

Terobosan teknologi iki nduweni maneka warna makna kanggo pangembangan industri silikon karbida, kalebu:

1. ​​Pangurangan Biaya Produksi sing Signifikan:Dibandhingake karo wafer silikon karbida 6 inci sing umum, wafer silikon karbida 12 inci nambah area sing kasedhiya kira-kira kaping papat, nyuda biaya chip unit nganti 30%-40%.

2. Kapasitas Pasokan Industri sing Ditingkatake:Iki ngatasi hambatan teknis ing pangolahan wafer silikon karbida ukuran gedhe, nyedhiyakake dhukungan peralatan kanggo ekspansi global kapasitas produksi silikon karbida.

3. ​​Proses Substitusi Lokalisasi sing Dipercepat​​:Iki ngrusak monopoli teknologi perusahaan asing ing bidang peralatan pangolahan silikon karbida ukuran gedhe, nyedhiyakake dhukungan penting kanggo pangembangan peralatan semikonduktor China sing otonom lan bisa dikontrol.

4. ​​Promosi Popularisasi Aplikasi Hilir:Pangurangan biaya bakal nyepetake aplikasi piranti silikon karbida ing bidang-bidang utama kayata kendaraan energi anyar lan energi terbarukan.

Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. minangka perusahaan saka Institut Semikonduktor Akademi Ilmu Pengetahuan Tiongkok, sing fokus ing riset lan pangembangan, produksi, lan dodolan peralatan semikonduktor khusus. Kanthi teknologi aplikasi laser minangka intine, perusahaan kasebut wis ngembangake seri peralatan pangolahan semikonduktor kanthi hak kekayaan intelektual independen, nglayani para pelanggan manufaktur semikonduktor domestik utama.

CEO Jingfei Semiconductor nyatakake, "Kita tansah netepi inovasi teknologi kanggo ndorong kemajuan industri. Pengembangan teknologi pengangkat laser silikon karbida 12 inci sing sukses ora mung minangka cerminan saka kemampuan teknis perusahaan nanging uga entuk manfaat saka dhukungan sing kuwat saka Komisi Sains lan Teknologi Kotamadya Beijing, Institut Semikonduktor Akademi Ilmu Pengetahuan Tiongkok, lan proyek khusus utama 'Inovasi Teknologi Disruptif' sing diatur lan dileksanakake dening Pusat Inovasi Teknologi Nasional Beijing-Tianjin-Hebei. Ing mangsa ngarep, kita bakal terus nambah investasi R&D kanggo nyedhiyakake solusi peralatan semikonduktor sing luwih berkualitas tinggi kanggo para pelanggan."

Dudutan

Ing mangsa ngarep, XKH bakal nggunakake portofolio produk substrat silikon karbida sing komprehensif (meliputi 2 nganti 12 inci kanthi kemampuan ikatan lan pangolahan sing disesuaikan) lan teknologi multi-material (kalebu 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N, lan liya-liyane) kanggo aktif ngatasi evolusi teknologi lan owah-owahan pasar ing industri SiC. Kanthi terus ningkatake hasil wafer, nyuda biaya produksi, lan nguatake kolaborasi karo produsen peralatan semikonduktor lan pelanggan pungkasan, XKH setya nyedhiyakake solusi substrat kinerja dhuwur lan keandalan dhuwur kanggo energi anyar global, elektronik voltase dhuwur, lan aplikasi industri suhu dhuwur. Kita ngarahake kanggo mbantu para pelanggan ngatasi alangan teknis lan entuk penyebaran sing bisa diskalakake, kanthi posisi minangka mitra bahan inti sing dipercaya ing rantai nilai SiC.