Substrat SiC Diameter 3 inci 76.2mm HPSI Prime Research lan kelas Dummy

Substrat konduktif: nuduhake resistivitas substrat silikon karbida 15 ~ 30mΩ-cm. Wafer epitaksial silikon karbida sing ditumbuhake saka substrat silikon karbida konduktif bisa digawe luwih lanjut dadi piranti daya, sing digunakake sacara wiyar ing kendaraan energi anyar, fotovoltaik, jaringan cerdas, lan transportasi rel.

Substrat semi-insulasi nuduhake resistivitas sing luwih dhuwur tinimbang substrat silikon karbida 100000Ω-cm, utamane digunakake ing pabrik piranti frekuensi radio gelombang mikro galium nitrida, minangka basis lapangan komunikasi nirkabel.

Iki minangka komponen dhasar ing babagan komunikasi nirkabel.

Substrat konduktif lan semi-insulasi silikon karbida digunakake ing macem-macem piranti elektronik lan piranti daya, kalebu nanging ora winates ing ing ngisor iki:

Piranti semikonduktor daya dhuwur (konduktif): Substrat silikon karbida nduweni kekuatan medan breakdown lan konduktivitas termal sing dhuwur, lan cocok kanggo produksi transistor lan dioda daya dhuwur lan piranti liyane.

Piranti elektronik RF (semi-terisolasi): Substrat Silicon Carbide nduweni kecepatan switching lan toleransi daya sing dhuwur, cocok kanggo aplikasi kayata amplifier daya RF, piranti gelombang mikro, lan sakelar frekuensi dhuwur.

Piranti optoelektronik (semi-terisolasi): Substrat silikon karbida duwé celah energi sing amba lan stabilitas termal sing dhuwur, cocok kanggo nggawé fotodioda, sel surya lan dioda laser lan piranti liyané.

Sensor suhu (konduktif): Substrat silikon karbida nduweni konduktivitas termal lan stabilitas termal sing dhuwur, cocok kanggo produksi sensor suhu dhuwur lan instrumen pangukuran suhu.

Proses produksi lan aplikasi substrat konduktif lan semi-insulasi silikon karbida nduweni macem-macem lapangan lan potensi, nyedhiyakake kemungkinan anyar kanggo pangembangan piranti elektronik lan piranti daya.