Ketebalan Substrat Komposit LN-on-Si 6 inci-8 inci 0,3-50 μm Bahan Si/SiC/Safir

Ketebalan Substrat Komposit LN-on-Si 6 inci-8 inci 0,3-50 μm Si/SiC/Safir saka Bahan Gambar Unggulan

Katrangan Cekak:

Substrat komposit LN-on-Si ukuran 6 inci nganti 8 inci iki minangka bahan kinerja dhuwur sing nggabungake film tipis lithium niobate (LN) kristal tunggal karo substrat silikon (Si), kanthi kekandelan wiwit saka 0,3 μm nganti 50 μm. Iki dirancang kanggo fabrikasi piranti semikonduktor lan optoelektronik canggih. Nggunakake teknik ikatan utawa pertumbuhan epitaksial canggih, substrat iki njamin kualitas kristal sing dhuwur saka film tipis LN nalika nggunakake ukuran wafer gedhe (6 inci nganti 8 inci) saka substrat silikon kanggo nambah efisiensi produksi lan efektifitas biaya.
Dibandhingake karo bahan LN massal konvensional, substrat komposit LN-on-Si 6 inci nganti 8 inci iki nawakake pencocokan termal lan stabilitas mekanik sing unggul, saengga cocok kanggo pangolahan tingkat wafer skala gedhe. Kajaba iku, bahan dasar alternatif kayata SiC utawa safir bisa dipilih kanggo nyukupi syarat aplikasi tartamtu, kalebu piranti RF frekuensi dhuwur, fotonik terintegrasi, lan sensor MEMS.

Kirim email menyang kita

Fitur-fitur

Parameter teknis

0,3-50μm LN/LT ing Isolator
Lapisan ndhuwur
Diameter	6-8 inci
Orientasi	X, Z, Y-42 lan liya-liyane.
Bahan	LT, LN
Kekandelan	0,3-50μm
Substrat (Disesuaikan)
Bahan	Si, SiC, Safir, Spinel, Kuarsa

Fitur Utama

Substrat komposit LN-on-Si ukuran 6 inci nganti 8 inci iki dibedakake karo sifat materi sing unik lan parameter sing bisa diatur, sing ndadekake aplikasi sing jembar ing industri semikonduktor lan optoelektronik:

1. Kompatibilitas Wafer Gedhe: Ukuran wafer 6 inci nganti 8 inci njamin integrasi sing lancar karo jalur fabrikasi semikonduktor sing wis ana (kayata, proses CMOS), nyuda biaya produksi lan ngaktifake produksi massal.

2. Kualitas Kristalin Dhuwur: Teknik epitaksial utawa ikatan sing dioptimalake njamin kapadhetan cacat sing sithik ing film tipis LN, saengga cocog kanggo modulator optik kinerja dhuwur, filter gelombang akustik permukaan (SAW), lan piranti presisi liyane.

3. Kekandelan sing Bisa Diatur (0,3–50 μm): Lapisan LN sing ultra tipis (<1 μm) cocok kanggo chip fotonik terintegrasi, dene lapisan sing luwih kandel (10–50 μm) ndhukung piranti RF daya dhuwur utawa sensor piezoelektrik.

4. Pilihan Substrat Pirang-pirang: Saliyane Si, SiC (konduktivitas termal dhuwur) utawa safir (insulasi dhuwur) bisa dipilih minangka bahan dasar kanggo nyukupi panjaluk aplikasi frekuensi dhuwur, suhu dhuwur, utawa daya dhuwur.

5. Stabilitas Termal lan Mekanik: Substrat silikon nyedhiyakake dhukungan mekanik sing kuwat, nyuda bengkok utawa retak sajrone proses lan ningkatake hasil piranti.

Atribut-atribut iki ndadekake substrat komposit LN-on-Si 6 inci nganti 8 inci minangka bahan sing disenengi kanggo teknologi canggih kayata komunikasi 5G, LiDAR, lan optik kuantum.

Aplikasi Utama

Substrat komposit LN-on-Si 6 inci nganti 8 inci iki digunakake sacara wiyar ing industri teknologi tinggi amarga sipat elektro-optik, piezoelektrik, lan akustik sing luar biasa:

1. Komunikasi Optik lan Fotonik Terpadu: Ngaktifake modulator elektro-optik kecepatan tinggi, pandu gelombang, lan sirkuit terpadu fotonik (PIC), sing bisa nangani kabutuhan bandwidth pusat data lan jaringan serat optik.

Piranti RF 2.5G/6G: Koefisien piezoelektrik LN sing dhuwur ndadekake cocog kanggo filter gelombang akustik permukaan (SAW) lan gelombang akustik massal (BAW), sing ningkatake pamrosesan sinyal ing stasiun pangkalan 5G lan piranti seluler.

3. MEMS lan Sensor: Efek piezoelektrik saka LN-on-Si nggampangake akselerometer sensitivitas dhuwur, biosensor, lan transduser ultrasonik kanggo aplikasi medis lan industri.

4. Teknologi Kuantum: Minangka bahan optik nonlinier, film tipis LN digunakake ing sumber cahya kuantum (kayata, pasangan foton sing kusut) lan chip kuantum terintegrasi.

5. Laser lan Optik Nonlinier: Lapisan LN ultra tipis ngaktifake piranti generasi harmonik kapindho (SHG) lan osilasi parametrik optik (OPO) sing efisien kanggo pamrosesan laser lan analisis spektroskopi.

Substrat komposit LN-on-Si standar 6 inci nganti 8 inci ngidini piranti kasebut diprodhuksi ing pabrik wafer skala gedhe, saengga bisa nyuda biaya produksi kanthi signifikan.

Kustomisasi lan Layanan

Kita nyedhiyakake dhukungan teknis sing lengkap lan layanan kustomisasi kanggo substrat komposit LN-on-Si 6 inci nganti 8 inci kanggo nyukupi macem-macem kabutuhan R&D lan produksi:

1. Fabrikasi Khusus: Kekandelan film LN (0,3–50 μm), orientasi kristal (X-cut/Y-cut), lan bahan substrat (Si/SiC/safir) bisa disesuaikan kanggo ngoptimalake kinerja piranti.

2. Pamrosesan Tingkat Wafer: Pasokan wafer 6 inci lan 8 inci kanthi massal, kalebu layanan back-end kayata dicing, polesan, lan pelapisan, kanggo njamin substrat wis siyap kanggo integrasi piranti.

3. Konsultasi lan Pengujian Teknis: Karakterisasi materi (kayata, XRD, AFM), pengujian kinerja elektro-optik, lan dhukungan simulasi piranti kanggo nyepetake validasi desain.

Misi kita yaiku netepake substrat komposit LN-on-Si 6 inci nganti 8 inci minangka solusi bahan inti kanggo aplikasi optoelektronik lan semikonduktor, sing nawakake dhukungan saka wiwitan nganti pungkasan saka R&D nganti produksi massal.

Dudutan

Substrat komposit LN-on-Si ukuran 6 inci nganti 8 inci, kanthi ukuran wafer sing gedhe, kualitas bahan sing unggul, lan fleksibilitas, ndorong kemajuan ing komunikasi optik, RF 5G, lan teknologi kuantum. Apa iku kanggo manufaktur volume dhuwur utawa solusi khusus, kita nyedhiyakake substrat sing bisa dipercaya lan layanan pelengkap kanggo nguatake inovasi teknologi.