Wafer Semi-Insulating (HPSI) SiC kemurnian tinggi 3 inci 350um kelas Dummy kelas Utama
Aplikasi
Wafer HPSI SiC penting banget kanggo ngaktifake piranti daya generasi sabanjure, sing digunakake ing macem-macem aplikasi kinerja dhuwur:
Sistem Konversi Daya: Wafer SiC dadi bahan inti kanggo piranti daya kayata MOSFET daya, dioda, lan IGBT, sing penting banget kanggo konversi daya sing efisien ing sirkuit listrik. Komponen kasebut ditemokake ing catu daya efisiensi dhuwur, penggerak motor, lan inverter industri.
Kendaraan Listrik (EV):Panjaluk kendaraan listrik sing saya tambah mbutuhake panggunaan elektronika daya sing luwih efisien, lan wafer SiC ana ing garis ngarep transformasi iki. Ing powertrain EV, wafer iki nyedhiyakake efisiensi dhuwur lan kemampuan switching cepet, sing nyumbang kanggo wektu pangisian daya sing luwih cepet, jarak tempuh sing luwih dawa, lan kinerja kendaraan sakabèhé sing luwih apik.
Energi Terbarukan:Ing sistem energi terbarukan kaya tenaga surya lan angin, wafer SiC digunakake ing inverter lan konverter sing nggampangake panangkepan lan distribusi energi sing luwih efisien. Konduktivitas termal sing dhuwur lan voltase breakdown SiC sing unggul njamin sistem kasebut bisa beroperasi kanthi andal, sanajan ing kahanan lingkungan sing ekstrem.
Otomasi Industri lan Robotika:Elektronika daya kinerja dhuwur ing sistem otomasi industri lan robotika mbutuhake piranti sing bisa ngalih kanthi cepet, nangani beban daya gedhe, lan beroperasi ing tekanan dhuwur. Semikonduktor berbasis SiC nyukupi syarat kasebut kanthi nyedhiyakake efisiensi lan kekokohan sing luwih dhuwur, sanajan ing lingkungan operasi sing atos.
Sistem Telekomunikasi:Ing infrastruktur telekomunikasi, ing ngendi linuwih sing dhuwur lan konversi energi sing efisien iku penting banget, wafer SiC digunakake ing catu daya lan konverter DC-DC. Piranti SiC mbantu nyuda konsumsi energi lan ningkatake kinerja sistem ing pusat data lan jaringan komunikasi.
Kanthi nyedhiyakake pondasi sing kuwat kanggo aplikasi daya dhuwur, wafer HPSI SiC ngaktifake pangembangan piranti sing hemat energi, mbantu industri transisi menyang solusi sing luwih ijo lan lestari.
Properti
| operasi | Kelas Produksi | Kelas Riset | Kelas Bodho |
| Diameter | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Kekandelan | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Orientasi Wafer | Ing sumbu: <0001> ± 0,5° | Ing sumbu: <0001> ± 2.0° | Ing sumbu: <0001> ± 2.0° |
| Kapadhetan Mikropipa kanggo 95% Wafer (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Resistivitas Listrik | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Dopan | Ora didoping | Ora didoping | Ora didoping |
| Orientasi Datar Utama | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| Dawane Datar Utama | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Dawane Datar Sekunder | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Orientasi Datar Sekunder | Si madhep munggah: 90° CW saka flat utama ± 5.0° | Si madhep munggah: 90° CW saka flat utama ± 5.0° | Si madhep munggah: 90° CW saka flat utama ± 5.0° |
| Pengecualian Tepi | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Busur/Lungun | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm |
| Kekasaran Permukaan | C-face: Dipoles, Si-face: CMP | C-face: Dipoles, Si-face: CMP | C-face: Dipoles, Si-face: CMP |
| Retakan (dipriksa nganggo cahya intensitas dhuwur) | Ora ana | Ora ana | Ora ana |
| Pelat Hex (dipriksa nganggo cahya intensitas dhuwur) | Ora ana | Ora ana | Area kumulatif 10% |
| Area Politipe (dipriksa nganggo cahya intensitas dhuwur) | Area kumulatif 5% | Area kumulatif 5% | Area kumulatif 10% |
| Goresan (dipriksa nganggo cahya intensitas dhuwur) | ≤ 5 goresan, dawa kumulatif ≤ 150 mm | ≤ 10 goresan, dawa kumulatif ≤ 200 mm | ≤ 10 goresan, dawa kumulatif ≤ 200 mm |
| Tepi Chipping | Ora ana sing diidinake jembar lan jerone ≥ 0,5 mm | 2 diidinake, jembar lan jerone ≤ 1 mm | 5 diidinake, jembar lan jerone ≤ 5 mm |
| Kontaminasi Permukaan (dipriksa nganggo cahya intensitas dhuwur) | Ora ana | Ora ana | Ora ana |
Kauntungan Utama
Performa Termal Unggul: Konduktivitas termal SiC sing dhuwur njamin disipasi panas sing efisien ing piranti daya, saengga bisa beroperasi ing tingkat daya lan frekuensi sing luwih dhuwur tanpa kepanasen. Iki tegese sistem sing luwih cilik, luwih efisien, lan umur operasional sing luwih dawa.
Tegangan Rusak Dhuwur: Kanthi celah pita sing luwih amba dibandhingake karo silikon, wafer SiC ndhukung aplikasi tegangan dhuwur, saengga cocog kanggo komponen elektronik daya sing kudu tahan tegangan rusak dhuwur, kayata ing kendaraan listrik, sistem tenaga jaringan, lan sistem energi terbarukan.
Mundhut Daya sing Kurang: Resistansi on-resistance sing kurang lan kecepatan switching sing cepet saka piranti SiC nyebabake mundhut energi sing luwih murah sajrone operasi. Iki ora mung nambah efisiensi nanging uga nambah penghematan energi sakabèhé saka sistem sing digunakake.
Keandalan sing Ditingkatake ing Lingkungan sing Atos: Sifat bahan SiC sing kuwat ngidini bisa digunakake ing kahanan ekstrem, kayata suhu dhuwur (nganti 600°C), voltase dhuwur, lan frekuensi dhuwur. Iki ndadekake wafer SiC cocog kanggo aplikasi industri, otomotif, lan energi sing nuntut.
Efisiensi Energi: Piranti SiC nawakake kapadhetan daya sing luwih dhuwur tinimbang piranti berbasis silikon tradisional, sing nyuda ukuran lan bobot sistem elektronik daya nalika ningkatake efisiensi sakabèhé. Iki ndadékaké penghematan biaya lan jejak lingkungan sing luwih cilik ing aplikasi kayata energi terbarukan lan kendaraan listrik.
Skalabilitas: Diameter 3 inci lan toleransi manufaktur sing tepat saka wafer HPSI SiC njamin manawa wafer iki bisa diskalakake kanggo produksi massal, nyukupi syarat riset lan manufaktur komersial.
Dudutan
Wafer HPSI SiC, kanthi diameter 3 inci lan kekandelan 350 µm ± 25 µm, minangka bahan optimal kanggo piranti elektronik daya kinerja dhuwur generasi sabanjure. Kombinasi unik saka konduktivitas termal, voltase kerusakan sing dhuwur, mundhut energi sing sithik, lan keandalan ing kahanan ekstrem ndadekake komponen penting kanggo macem-macem aplikasi ing konversi daya, energi terbarukan, kendaraan listrik, sistem industri, lan telekomunikasi.
Wafer SiC iki cocog banget kanggo industri sing pengin entuk efisiensi sing luwih dhuwur, penghematan energi sing luwih gedhe, lan keandalan sistem sing luwih apik. Nalika teknologi elektronika daya terus berkembang, wafer HPSI SiC nyedhiyakake pondasi kanggo pangembangan solusi hemat energi generasi sabanjure, sing ndorong transisi menyang masa depan sing luwih lestari lan rendah karbon.
Diagram Rinci
