Wafer substrat 4H-Semi SiC 3 inci 76,2mm Wafer SiC Semi-penghinaan Silikon Karbida

Wafer substrat 3 inci 76,2mm 4H-Semi SiC Wafer Silikon Karbida Semi-nghina Gambar Unggulan

Katrangan Cekak:

Wafer SiC kristal tunggal (Silikon Karbida) kualitas dhuwur kanggo industri elektronik lan optoelektronik. Wafer SiC 3 inci minangka bahan semikonduktor generasi sabanjure, wafer silikon-karbida semi-isolasi kanthi diameter 3 inci. Wafer kasebut dimaksudake kanggo fabrikasi piranti daya, RF, lan optoelektronik.

Kirim email menyang kita

Fitur-fitur

Spesifikasi Produk

Wafer substrat SiC (silikon karbida) semi-terisolasi 4H 3 inci minangka bahan semikonduktor sing umum digunakake. 4H nuduhake struktur kristal tetraheksahedral. Semi-insulasi tegese substrat kasebut nduweni karakteristik resistensi sing dhuwur lan bisa diisolasi saka aliran arus.

Wafer substrat kaya ngono nduwèni ciri-ciri ing ngisor iki: konduktivitas termal sing dhuwur, mundhut konduksi sing sithik, tahan suhu dhuwur sing apik banget, lan stabilitas mekanik lan kimia sing apik banget. Amarga silikon karbida nduwèni celah energi sing amba lan bisa tahan suhu dhuwur lan kondisi medan listrik sing dhuwur, wafer semi-terisolasi 4H-SiC akèh digunakaké ing elektronika daya lan piranti frekuensi radio (RF).

Aplikasi utama wafer semi-terisolasi 4H-SiC kalebu:

1--Elektronika daya: Wafer 4H-SiC bisa digunakake kanggo nggawe piranti switching daya kayata MOSFET (Transistor Efek Medan Semikonduktor Oksida Logam), IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi) lan dioda Schottky. Piranti kasebut duwe kerugian konduksi lan switching sing luwih murah ing lingkungan voltase dhuwur lan suhu dhuwur lan nawakake efisiensi lan linuwih sing luwih dhuwur.

2--Piranti Frekuensi Radio (RF): Wafer semi-terisolasi 4H-SiC bisa digunakake kanggo nggawe amplifier daya RF frekuensi dhuwur, resistor chip, filter, lan piranti liyane. Silikon karbida nduweni kinerja frekuensi dhuwur lan stabilitas termal sing luwih apik amarga tingkat hanyutan saturasi elektron sing luwih gedhe lan konduktivitas termal sing luwih dhuwur.

3--Piranti optoelektronik: Wafer semi-terisolasi 4H-SiC bisa digunakake kanggo nggawe dioda laser daya dhuwur, detektor cahya UV, lan sirkuit terpadu optoelektronik.

Ing babagan arah pasar, panjaluk kanggo wafer semi-terisolasi 4H-SiC saya tambah akeh kanthi tuwuhing bidang elektronika daya, RF, lan optoelektronik. Iki amarga kasunyatan manawa silikon karbida duwe macem-macem aplikasi, kalebu efisiensi energi, kendaraan listrik, energi terbarukan, lan komunikasi. Ing mangsa ngarep, pasar kanggo wafer semi-terisolasi 4H-SiC tetep janjeni banget lan diarepake bakal ngganti bahan silikon konvensional ing macem-macem aplikasi.